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Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen / / Rimma Zhytnytska
| Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen / / Rimma Zhytnytska |
| Autore | Zhytnytska Rimma |
| Edizione | [1st ed.] |
| Pubbl/distr/stampa | Göttingen : , : Cuvillier Verlag, , [2021] |
| Descrizione fisica | 1 online resource (183 pages) |
| Disciplina | 548.5 |
| Collana | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik |
| Soggetto topico | Epitaxy |
| ISBN | 3-7369-6413-7 |
| Formato | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | ger |
| Nota di contenuto | Intro -- 1 Kapitel: Einführung -- 1.1 Motivation -- 1.2 Ziel und Aufbau der Arbeit -- 2 Kapitel: Grundlagen der AlGaN/GaN-HEMTs -- 2.1 Materialeigenschaften von GaN und AlGaN/GaN Heterostruktur -- 2.2 AlGaN/GaN HEMT: Aufbau, Funktion und typische Kennlinien -- 3 Kapitel: Designkonzept für LE-Transistoren -- 3.1 Grundlagen des Designs -- 3.2 Anforderungen an GaN-Transistoren für die Leistungselektronikanwendungen -- 3.3 Designkonzept der GaN-Transistoren für Leistungselektronikanwendungen -- 4 Kapitel: Prozessdetails und Messmethoden -- 4.1 Herstellung der Transistoren und Teststrukturen -- 4.2 Elektrische Charakterisierung -- 5 Kapitel: Design für hohe Spannung -- 5.1 AlGaN/GaN HEMT im gesperrten Zustand -- 5.2 Designoptimierung für hohe Durchbruchfestigkeit -- 5.3 Zusammenfassung des Kapitels 5 -- 6 Kapitel: Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit -- 6.1 Thermische Effekte im AlGaN/GaN HEMT -- 6.2 Elektrisch-thermische Charakterisierung des Al- GaN/GaN HEMTs -- 6.3 Designstudie (ANSYS) -- 6.4 Zusammenfassung des Kapitels 6 -- 7 Kapitel: LE-Transistoren - Design und Charakterisierung -- 7.1 Optimiertes Transistordesign -- 7.2 Charakterisierung der LE-Transistoren -- 7.3 Zusammenfassung des Kapitels 7 -- 8 Kapitel: Zusammenfassung und Ausblick -- 8.1 Zusammenfassung und Fazit -- 8.2 Ausblick -- Quellenverweis -- Abbildungsverzeichnis -- Tabellenverzeichnis. |
| Record Nr. | UNINA-9910795244203321 |
Zhytnytska Rimma
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| Göttingen : , : Cuvillier Verlag, , [2021] | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
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Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen / / Rimma Zhytnytska
| Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen / / Rimma Zhytnytska |
| Autore | Zhytnytska Rimma |
| Edizione | [1st ed.] |
| Pubbl/distr/stampa | Göttingen : , : Cuvillier Verlag, , [2021] |
| Descrizione fisica | 1 online resource (183 pages) |
| Disciplina | 548.5 |
| Collana | Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik |
| Soggetto topico | Epitaxy |
| ISBN | 3-7369-6413-7 |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | ger |
| Nota di contenuto | Intro -- 1 Kapitel: Einführung -- 1.1 Motivation -- 1.2 Ziel und Aufbau der Arbeit -- 2 Kapitel: Grundlagen der AlGaN/GaN-HEMTs -- 2.1 Materialeigenschaften von GaN und AlGaN/GaN Heterostruktur -- 2.2 AlGaN/GaN HEMT: Aufbau, Funktion und typische Kennlinien -- 3 Kapitel: Designkonzept für LE-Transistoren -- 3.1 Grundlagen des Designs -- 3.2 Anforderungen an GaN-Transistoren für die Leistungselektronikanwendungen -- 3.3 Designkonzept der GaN-Transistoren für Leistungselektronikanwendungen -- 4 Kapitel: Prozessdetails und Messmethoden -- 4.1 Herstellung der Transistoren und Teststrukturen -- 4.2 Elektrische Charakterisierung -- 5 Kapitel: Design für hohe Spannung -- 5.1 AlGaN/GaN HEMT im gesperrten Zustand -- 5.2 Designoptimierung für hohe Durchbruchfestigkeit -- 5.3 Zusammenfassung des Kapitels 5 -- 6 Kapitel: Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit -- 6.1 Thermische Effekte im AlGaN/GaN HEMT -- 6.2 Elektrisch-thermische Charakterisierung des Al- GaN/GaN HEMTs -- 6.3 Designstudie (ANSYS) -- 6.4 Zusammenfassung des Kapitels 6 -- 7 Kapitel: LE-Transistoren - Design und Charakterisierung -- 7.1 Optimiertes Transistordesign -- 7.2 Charakterisierung der LE-Transistoren -- 7.3 Zusammenfassung des Kapitels 7 -- 8 Kapitel: Zusammenfassung und Ausblick -- 8.1 Zusammenfassung und Fazit -- 8.2 Ausblick -- Quellenverweis -- Abbildungsverzeichnis -- Tabellenverzeichnis. |
| Record Nr. | UNINA-9910809279803321 |
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Zhytnytska Rimma
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| Göttingen : , : Cuvillier Verlag, , [2021] | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
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