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Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM / Changhwan Shin
| Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM / Changhwan Shin |
| Autore | Shin, Changhwan |
| Pubbl/distr/stampa | Dordrecht, : Springer, 2016 |
| Descrizione fisica | vii, 140 p. : ill. ; 24 cm |
| Soggetto topico | 00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
| Soggetto non controllato |
CMOS Device Designs
Integrated circuits Line Edge Roughness MOSFET Process-Induced Random Variation Random Dopant Fluctuation Static Random Access Memory Variation-Robust CMOS Work-function Variation |
| Formato | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Titolo uniforme | |
| Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN0177812 |
Shin, Changhwan
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| Dordrecht, : Springer, 2016 | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli | ||
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Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM / Changhwan Shin
| Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM / Changhwan Shin |
| Autore | Shin, Changhwan |
| Pubbl/distr/stampa | Dordrecht, : Springer, 2016 |
| Descrizione fisica | vii, 140 p. : ill. ; 24 cm |
| Soggetto topico | 00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
| Soggetto non controllato |
CMOS Device Designs
Integrated circuits Line Edge Roughness MOSFET Process-Induced Random Variation Random Dopant Fluctuation Static Random Access Memory Variation-Robust CMOS Work-function Variation |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Titolo uniforme | |
| Record Nr. | UNICAMPANIA-VAN00177812 |
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Shin, Changhwan
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| Dordrecht, : Springer, 2016 | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli | ||
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