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Leakage current and defect characterization of short channel MOSFETs / / Guntrade Roll
Leakage current and defect characterization of short channel MOSFETs / / Guntrade Roll
Autore Roll Guntrade
Pubbl/distr/stampa Berlin : , : Logos Verlag Berlin, , [2014]
Descrizione fisica 1 online resource (242 pages)
Disciplina 621.3815284
Collana Research at NaMLab
Soggetto topico Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Soggetto genere / forma Electronic books.
ISBN 3-8325-9666-6
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910466968503321
Roll Guntrade  
Berlin : , : Logos Verlag Berlin, , [2014]
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Leakage current and defect characterization of short channel MOSFETs / / Guntrade Roll
Leakage current and defect characterization of short channel MOSFETs / / Guntrade Roll
Autore Roll Guntrade
Pubbl/distr/stampa Berlin : , : Logos Verlag Berlin, , [2014]
Descrizione fisica 1 online resource (242 pages)
Disciplina 621.3815284
Collana Research at NaMLab
Soggetto topico Metal oxide semiconductor field-effect transistors
ISBN 3-8325-9666-6
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910795584703321
Roll Guntrade  
Berlin : , : Logos Verlag Berlin, , [2014]
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Leakage current and defect characterization of short channel MOSFETs / / Guntrade Roll
Leakage current and defect characterization of short channel MOSFETs / / Guntrade Roll
Autore Roll Guntrade
Pubbl/distr/stampa Berlin : , : Logos Verlag Berlin, , [2014]
Descrizione fisica 1 online resource (242 pages)
Disciplina 621.3815284
Collana Research at NaMLab
Soggetto topico Metal oxide semiconductor field-effect transistors
ISBN 3-8325-9666-6
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910822454603321
Roll Guntrade  
Berlin : , : Logos Verlag Berlin, , [2014]
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
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