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Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
Autore Nosaeva Ksenia
Edizione [1. Auflage.]
Pubbl/distr/stampa Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016
Descrizione fisica 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs
Disciplina 621.3815284
Collana Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik
Soggetto topico Modulation-doped field-effect transistors
Soggetto genere / forma Electronic books.
ISBN 3-7369-8287-9
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910511640503321
Nosaeva Ksenia  
Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
Autore Nosaeva Ksenia
Edizione [1. Auflage.]
Pubbl/distr/stampa Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016
Descrizione fisica 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs
Disciplina 621.3815284
Collana Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik
Soggetto topico Modulation-doped field-effect transistors
ISBN 3-7369-8287-9
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910794942703321
Nosaeva Ksenia  
Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016
Materiale a stampa
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Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
Autore Nosaeva Ksenia
Edizione [1. Auflage.]
Pubbl/distr/stampa Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016
Descrizione fisica 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs
Disciplina 621.3815284
Collana Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik
Soggetto topico Modulation-doped field-effect transistors
ISBN 3-7369-8287-9
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910821367203321
Nosaeva Ksenia  
Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
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