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Control of mobile-ion contamination in oxidation ambients for MOS device processing / / Santos Mayo; Richard Y. Koyama; Thomas F. Leedy
| Control of mobile-ion contamination in oxidation ambients for MOS device processing / / Santos Mayo; Richard Y. Koyama; Thomas F. Leedy |
| Autore | Mayo Santos |
| Pubbl/distr/stampa | Gaithersburg, MD : , : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, , 1978 |
| Descrizione fisica | 1 online resource |
| Altri autori (Persone) |
KoyamaRichard Y
LeedyThomas F MayoSantos |
| Collana | NBSIR |
| Formato | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Record Nr. | UNINA-9910709923703321 |
Mayo Santos
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| Gaithersburg, MD : , : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, , 1978 | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
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Development of hydrogen and hydroxyl contamination in thin silicon dioxide thermal films / / Santos Mayo; William H. Evans
| Development of hydrogen and hydroxyl contamination in thin silicon dioxide thermal films / / Santos Mayo; William H. Evans |
| Autore | Mayo Santos |
| Pubbl/distr/stampa | Gaithersburg, MD : , : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, , 1979 |
| Descrizione fisica | 1 online resource |
| Altri autori (Persone) |
EvansWilliam H
MayoSantos |
| Collana | NBSIR |
| Formato | Materiale a stampa |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione | eng |
| Record Nr. | UNINA-9910709910303321 |
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Mayo Santos
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| Gaithersburg, MD : , : U.S. Dept. of Commerce, National Institute of Standards and Technology, , 1979 | ||
| Materiale a stampa | ||
| Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
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