Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen |
Autore | Li Hai <1975, > |
Pubbl/distr/stampa | Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 |
Descrizione fisica | 1 online resource (200 p.) |
Disciplina |
004.568
621.39732 |
Altri autori (Persone) | ChenYiran <1976-> |
Soggetto topico |
Semiconductor storage devices
Magnetic memory (Computers) Flash memories (Computers) Change of state (Physics) - Industrial applications |
Soggetto genere / forma | Electronic books. |
ISBN |
1-280-12159-9
9786613525451 1-4398-0746-9 |
Formato | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Nota di contenuto | 1. Introduction to semiconductor memories -- 2. Phase change memory -- 3. Spin-transfer torque RAM -- 4. Resistive random access memory -- 5. Memristors -- 6. The future of nonvolatile memory. |
Record Nr. | UNINA-9910458158103321 |
Li Hai <1975, > | ||
Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 | ||
Materiale a stampa | ||
Lo trovi qui: Univ. Federico II | ||
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Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen |
Autore | Li Hai <1975, > |
Pubbl/distr/stampa | Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 |
Descrizione fisica | 1 online resource (200 p.) |
Disciplina |
004.568
621.39732 |
Altri autori (Persone) | ChenYiran <1976-> |
Soggetto topico |
Semiconductor storage devices
Magnetic memory (Computers) Flash memories (Computers) Change of state (Physics) - Industrial applications |
ISBN |
1-315-21830-5
1-351-83419-3 1-280-12159-9 9786613525451 1-4398-0746-9 |
Formato | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Nota di contenuto | 1. Introduction to semiconductor memories -- 2. Phase change memory -- 3. Spin-transfer torque RAM -- 4. Resistive random access memory -- 5. Memristors -- 6. The future of nonvolatile memory. |
Record Nr. | UNINA-9910781525203321 |
Li Hai <1975, > | ||
Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 | ||
Materiale a stampa | ||
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Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen |
Autore | Li Hai <1975, > |
Pubbl/distr/stampa | Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 |
Descrizione fisica | 1 online resource (200 p.) |
Disciplina |
004.568
621.39732 |
Altri autori (Persone) | ChenYiran <1976-> |
Soggetto topico |
Semiconductor storage devices
Magnetic memory (Computers) Flash memories (Computers) Change of state (Physics) - Industrial applications |
ISBN |
1-315-21830-5
1-351-83419-3 1-280-12159-9 9786613525451 1-4398-0746-9 |
Formato | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione | eng |
Nota di contenuto | 1. Introduction to semiconductor memories -- 2. Phase change memory -- 3. Spin-transfer torque RAM -- 4. Resistive random access memory -- 5. Memristors -- 6. The future of nonvolatile memory. |
Record Nr. | UNINA-9910824971303321 |
Li Hai <1975, > | ||
Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012 | ||
Materiale a stampa | ||
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