top

  Info

  • Utilizzare la checkbox di selezione a fianco di ciascun documento per attivare le funzionalità di stampa, invio email, download nei formati disponibili del (i) record.

  Info

  • Utilizzare questo link per rimuovere la selezione effettuata.
Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen
Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen
Autore Li Hai <1975, >
Pubbl/distr/stampa Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012
Descrizione fisica 1 online resource (200 p.)
Disciplina 004.568
621.39732
Altri autori (Persone) ChenYiran <1976->
Soggetto topico Semiconductor storage devices
Magnetic memory (Computers)
Flash memories (Computers)
Change of state (Physics) - Industrial applications
Soggetto genere / forma Electronic books.
ISBN 1-280-12159-9
9786613525451
1-4398-0746-9
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto 1. Introduction to semiconductor memories -- 2. Phase change memory -- 3. Spin-transfer torque RAM -- 4. Resistive random access memory -- 5. Memristors -- 6. The future of nonvolatile memory.
Record Nr. UNINA-9910458158103321
Li Hai <1975, >  
Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen
Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen
Autore Li Hai <1975, >
Pubbl/distr/stampa Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012
Descrizione fisica 1 online resource (200 p.)
Disciplina 004.568
621.39732
Altri autori (Persone) ChenYiran <1976->
Soggetto topico Semiconductor storage devices
Magnetic memory (Computers)
Flash memories (Computers)
Change of state (Physics) - Industrial applications
ISBN 1-315-21830-5
1-351-83419-3
1-280-12159-9
9786613525451
1-4398-0746-9
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto 1. Introduction to semiconductor memories -- 2. Phase change memory -- 3. Spin-transfer torque RAM -- 4. Resistive random access memory -- 5. Memristors -- 6. The future of nonvolatile memory.
Record Nr. UNINA-9910781525203321
Li Hai <1975, >  
Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen
Nonvolatile memory design : magnetic, resistive, and phase change / / Hai Li, Yiran Chen
Autore Li Hai <1975, >
Pubbl/distr/stampa Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012
Descrizione fisica 1 online resource (200 p.)
Disciplina 004.568
621.39732
Altri autori (Persone) ChenYiran <1976->
Soggetto topico Semiconductor storage devices
Magnetic memory (Computers)
Flash memories (Computers)
Change of state (Physics) - Industrial applications
ISBN 1-315-21830-5
1-351-83419-3
1-280-12159-9
9786613525451
1-4398-0746-9
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto 1. Introduction to semiconductor memories -- 2. Phase change memory -- 3. Spin-transfer torque RAM -- 4. Resistive random access memory -- 5. Memristors -- 6. The future of nonvolatile memory.
Record Nr. UNINA-9910824971303321
Li Hai <1975, >  
Boca Raton, Fla. : , : CRC Press, , 2012
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui