top

  Info

  • Utilizzare la checkbox di selezione a fianco di ciascun documento per attivare le funzionalità di stampa, invio email, download nei formati disponibili del (i) record.

  Info

  • Utilizzare questo link per rimuovere la selezione effettuata.

Biblioteca

MARC Lista (tabellare)
Silicon carbide power devices [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga
Silicon carbide power devices [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga
Autore Baliga B. Jayant <1948->
Pubbl/distr/stampa New Jersey, : World Scientific, c2005
Descrizione fisica 1 online resource (xxi, 503 p. ) : ill. (some col.)
Disciplina 621.3815/2
Soggetto topico Silicon carbide - Electric properties
Semiconductors
Soggetto genere / forma Electronic books.
ISBN 981-277-452-1
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto ch. 1. Introduction -- ch. 2. Material properties and technology -- ch. 3. Breakdown voltage -- ch. 4. PiN rectifiers -- ch. 5. Schottky rectifiers -- ch. 6. Shielded Schottky rectifiers -- ch. 7. Metal-semiconductor field effect transistors -- ch. 8. The Baliga-pair configuration -- ch. 9. Planar power MOSFETs -- ch. 10. Shielded planar MOSFETs -- ch. 11. Trench-gate power MOSFETs -- ch. 12. Shielded trench-gate power MOSFETs -- ch. 13. Charge coupled structures -- ch. 14. Integral diodes -- ch. 15. Lateral high voltage FETs -- ch. 16. Synopsis.
Record Nr. UNINA-9910450985103321
Baliga B. Jayant <1948->  
New Jersey, : World Scientific, c2005
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Silicon carbide power devices [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga
Silicon carbide power devices [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga
Autore Baliga B. Jayant <1948->
Pubbl/distr/stampa New Jersey, : World Scientific, c2005
Descrizione fisica 1 online resource (xxi, 503 p. ) : ill. (some col.)
Disciplina 621.3815/2
Soggetto topico Silicon carbide - Electric properties
Semiconductors
ISBN 981-277-452-1
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto ch. 1. Introduction -- ch. 2. Material properties and technology -- ch. 3. Breakdown voltage -- ch. 4. PiN rectifiers -- ch. 5. Schottky rectifiers -- ch. 6. Shielded Schottky rectifiers -- ch. 7. Metal-semiconductor field effect transistors -- ch. 8. The Baliga-pair configuration -- ch. 9. Planar power MOSFETs -- ch. 10. Shielded planar MOSFETs -- ch. 11. Trench-gate power MOSFETs -- ch. 12. Shielded trench-gate power MOSFETs -- ch. 13. Charge coupled structures -- ch. 14. Integral diodes -- ch. 15. Lateral high voltage FETs -- ch. 16. Synopsis.
Record Nr. UNINA-9910785080703321
Baliga B. Jayant <1948->  
New Jersey, : World Scientific, c2005
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Silicon carbide power devices / / B. Jayant Baliga
Silicon carbide power devices / / B. Jayant Baliga
Autore Baliga B. Jayant <1948->
Edizione [1st ed.]
Pubbl/distr/stampa New Jersey, : World Scientific, c2005
Descrizione fisica 1 online resource (xxi, 503 p. ) : ill. (some col.)
Disciplina 621.3815/2
Soggetto topico Silicon carbide - Electric properties
Semiconductors
ISBN 981-277-452-1
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto ch. 1. Introduction -- ch. 2. Material properties and technology -- ch. 3. Breakdown voltage -- ch. 4. PiN rectifiers -- ch. 5. Schottky rectifiers -- ch. 6. Shielded Schottky rectifiers -- ch. 7. Metal-semiconductor field effect transistors -- ch. 8. The Baliga-pair configuration -- ch. 9. Planar power MOSFETs -- ch. 10. Shielded planar MOSFETs -- ch. 11. Trench-gate power MOSFETs -- ch. 12. Shielded trench-gate power MOSFETs -- ch. 13. Charge coupled structures -- ch. 14. Integral diodes -- ch. 15. Lateral high voltage FETs -- ch. 16. Synopsis.
Record Nr. UNINA-9910821665003321
Baliga B. Jayant <1948->  
New Jersey, : World Scientific, c2005
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Silicon RF power MOSFETS [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga
Silicon RF power MOSFETS [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga
Autore Baliga B. Jayant <1948->
Pubbl/distr/stampa Singapore ; ; Hackensack, NJ, : World Scientific, c2005
Descrizione fisica 1 online resource (320 p.)
Disciplina 621.3815/284
Soggetto topico Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Field-effect transistors
Soggetto genere / forma Electronic books.
ISBN 1-281-88100-7
9786611881009
981-256-932-4
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto Preface; Contents; Chapter 1 Introduction; Chapter 2 RF Power Amplifiers; Chapter 3 MOSFET PHYSICS; Chapter 4 Lateral-Diffused MOSFETs; Chapter 5 Vertical-Diffused MOSFETs; Chapter 6 Charge-Coupled MOSFETs; Chapter 7 Super-Linear MOSFETs; Chapter 8 Planar Super-Linear MOSFETs; Chapter 9 Dual Trench MOSFETs; Chapter 10 Hot Carrier Injection Instability; Chapter 11 Synopsis; Appendix; Index
Record Nr. UNINA-9910450185403321
Baliga B. Jayant <1948->  
Singapore ; ; Hackensack, NJ, : World Scientific, c2005
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Silicon RF power MOSFETS [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga
Silicon RF power MOSFETS [[electronic resource] /] / B. Jayant Baliga
Autore Baliga B. Jayant <1948->
Pubbl/distr/stampa Singapore ; ; Hackensack, NJ, : World Scientific, c2005
Descrizione fisica 1 online resource (320 p.)
Disciplina 621.3815/284
Soggetto topico Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Field-effect transistors
ISBN 1-281-88100-7
9786611881009
981-256-932-4
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto Preface; Contents; Chapter 1 Introduction; Chapter 2 RF Power Amplifiers; Chapter 3 MOSFET PHYSICS; Chapter 4 Lateral-Diffused MOSFETs; Chapter 5 Vertical-Diffused MOSFETs; Chapter 6 Charge-Coupled MOSFETs; Chapter 7 Super-Linear MOSFETs; Chapter 8 Planar Super-Linear MOSFETs; Chapter 9 Dual Trench MOSFETs; Chapter 10 Hot Carrier Injection Instability; Chapter 11 Synopsis; Appendix; Index
Record Nr. UNINA-9910783641103321
Baliga B. Jayant <1948->  
Singapore ; ; Hackensack, NJ, : World Scientific, c2005
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Silicon RF power MOSFETS / / B. Jayant Baliga
Silicon RF power MOSFETS / / B. Jayant Baliga
Autore Baliga B. Jayant <1948->
Edizione [1st ed.]
Pubbl/distr/stampa Singapore ; ; Hackensack, NJ, : World Scientific, c2005
Descrizione fisica 1 online resource (320 p.)
Disciplina 621.3815/284
Soggetto topico Metal oxide semiconductor field-effect transistors
Field-effect transistors
ISBN 1-281-88100-7
9786611881009
981-256-932-4
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Nota di contenuto Preface; Contents; Chapter 1 Introduction; Chapter 2 RF Power Amplifiers; Chapter 3 MOSFET PHYSICS; Chapter 4 Lateral-Diffused MOSFETs; Chapter 5 Vertical-Diffused MOSFETs; Chapter 6 Charge-Coupled MOSFETs; Chapter 7 Super-Linear MOSFETs; Chapter 8 Planar Super-Linear MOSFETs; Chapter 9 Dual Trench MOSFETs; Chapter 10 Hot Carrier Injection Instability; Chapter 11 Synopsis; Appendix; Index
Record Nr. UNINA-9910808479603321
Baliga B. Jayant <1948->  
Singapore ; ; Hackensack, NJ, : World Scientific, c2005
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui