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Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C [[electronic resource] /] / Janis M. Niedra
Switching characteristics of a 4H-SiC based bipolar junction transistor to 200 °C [[electronic resource] /] / Janis M. Niedra
Autore Niedra Janis M
Pubbl/distr/stampa Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, , [2006]
Descrizione fisica 1 online resource (6 pages) : illustrations
Collana NASA/CR-
Soggetto topico Junction transistors
High temperature
Bipolar transistors
Switching
Static loads
Electric potential
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910699314303321
Niedra Janis M  
Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, , [2006]
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui
Total ionizing dose test report for the SFT2222A NPN bipolar junction transistor / / Dakai Chen, James Forney
Total ionizing dose test report for the SFT2222A NPN bipolar junction transistor / / Dakai Chen, James Forney
Autore Chen Dakai <1982->
Pubbl/distr/stampa Greenbelt, Maryland : , : National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, , April 2021
Descrizione fisica 1 online resource (approximately 22 pages) : illustrations
Collana NASA/TM
Soggetto topico Bipolar transistors
Junction transistors
Formato Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione eng
Record Nr. UNINA-9910716639603321
Chen Dakai <1982->  
Greenbelt, Maryland : , : National Aeronautics and Space Administration, Goddard Space Flight Center, , April 2021
Materiale a stampa
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui