Operation and modeling of the MOS transistor / Yannis P. Tsividis
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| Autore: |
Tsividis, Yannis P.
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| Titolo: |
Operation and modeling of the MOS transistor / Yannis P. Tsividis
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| Pubblicazione: | New York [etc.], : McGraw-hill, c1987 |
| Descrizione fisica: | XX, 505 p. ; 24 cm. |
| Disciplina: | 621.3815 |
| 621.3815284 | |
| Soggetto topico: | Semiconduttori |
| Transistori a effetto di campo | |
| Titolo autorizzato: | Operation and modeling of the MOS transistor |
| ISBN: | 007065381X |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | MIL0192592 |
| Lo trovi qui: | Univ. del Sannio |
| Collocazione: | SALA DING 621.3815 TSI.op |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |
Serie:
McGraw-Hill series in electrical engineering. Electronics and electronic circuits
McGraw-Hill series in electrical engineering , . VLSI