Emerging Resistive Switching Memories / Jianyong Ouyang
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| Autore: |
Ouyang, Jianyong
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| Titolo: |
Emerging Resistive Switching Memories / Jianyong Ouyang
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| Pubblicazione: | Cham, : Springer, 2016 |
| Descrizione fisica: | VIII, 93 p. : ill. ; 24 cm |
| Disciplina: | 620.5(Nanotecnologia) |
| 620.1(Scienze dei materiali) | |
| 621.381(Elettronica. Microelettronica. Elettronica molecolare) | |
| 621.319(Circuiti) | |
| Titolo autorizzato: | Emerging Resistive Switching Memories |
| Formato: | Materiale a stampa  |
| Livello bibliografico | Monografia |
| Lingua di pubblicazione: | Inglese |
| Record Nr.: | VAN00242392 |
| Lo trovi qui: | Univ. Vanvitelli |
| Localizzazioni e accesso elettronico | https://link.springer.com/book/10.1007/978-3-319-31572-0 |
| Opac: | Controlla la disponibilità qui |
Serie:
SpringerBriefs in Materials Cham [etc.] . -Springer