III-Nitride LEDs : From UV to Green / Shengjun Zhou, Sheng Liu

• Autore: Zhou, Shengjun
• Pubblicazione: Singapore, : Springer ; Beijing, : Science, 2022
• Descrizione fisica: viii, 239 p. : ill. ; 24 cm
• Soggetto non controllato: Current blocking layer; Current crowding; Current spreading layer; Device reliability; Epitaxial Growth; External quantum efficiency; Flip-chip LEDs; High Voltage LEDs; III-Nitride semiconductors; Internal Quantum Efficiency; Light Extraction Efficiency; Micro LED; Mini-LED; Nucleation layer; Ohmic contact; Patterned sapphire substrate; Reflective electrode; Threading dislocations; Vertical LEDs
• Altri autori: Liu, Sheng
• Titolo autorizzato: III-Nitride LEDs
• Formato: Materiale a stampa
• Livello bibliografico: Monografia
• Lingua di pubblicazione: Inglese
• Record Nr.: VAN00284134
• Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli
• Localizzazioni e accesso elettronico: https://doi.org/10.1007/978-981-19-0436-3
• Serie: Advances in Optics and Optoelectronics Singapore . -Springer