Tunneling Field Effect Transistor Technology / Lining Zhang, Mansun Chan editors

• Pubblicazione: ix, 213 p. ; 24 cm
• Edizione: Cham : Springer, 2016
• Descrizione fisica: Pubblicazione in formato elettronico
• Persona (resp. second.): Zhang, Lining; Chan, Mansun
• Titolo autorizzato: Tunneling Field Effect Transistor Technology
• Formato: Materiale a stampa
• Livello bibliografico: Monografia
• Lingua di pubblicazione: Inglese
• Record Nr.: SUN0121196
• Lo trovi qui: Univ. Vanvitelli
• Localizzazioni e accesso elettronico: http://link.springer.com/openurl?genre=book&isbn=978-3-319-31653-6