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Autore: |
Nosaeva Ksenia
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Titolo: |
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva
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Pubblicazione: | Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 |
©2016 | |
Edizione: | 1. Auflage. |
Descrizione fisica: | 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs |
Disciplina: | 621.3815284 |
Soggetto topico: | Modulation-doped field-effect transistors |
Soggetto genere / forma: | Electronic books. |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references. |
Titolo autorizzato: | Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz ![]() |
ISBN: | 3-7369-8287-9 |
Formato: | Materiale a stampa ![]() |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910511640503321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |