Vai al contenuto principale della pagina

Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva



(Visualizza in formato marc)    (Visualizza in BIBFRAME)

Autore: Nosaeva Ksenia Visualizza persona
Titolo: Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva Visualizza cluster
Pubblicazione: Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016
©2016
Edizione: 1. Auflage.
Descrizione fisica: 1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs
Disciplina: 621.3815284
Soggetto topico: Modulation-doped field-effect transistors
Nota di bibliografia: Includes bibliographical references.
Titolo autorizzato: Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz  Visualizza cluster
ISBN: 3-7369-8287-9
Formato: Materiale a stampa
Livello bibliografico Monografia
Lingua di pubblicazione: Inglese
Record Nr.: 9910821367203321
Lo trovi qui: Univ. Federico II
Opac: Controlla la disponibilità qui