Vai al contenuto principale della pagina
Titolo: | Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications / Byung-Eun Park … [et al.] editors] |
Pubblicazione: | Singapore, : Springer, 2020 |
Titolo uniforme: | Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories : Device Physics and Applications |
Edizione: | 2. ed |
Descrizione fisica: | xiv, 425 p. : ill. ; 24 cm |
Soggetto topico: | 00A79 (77-XX) - Physics [MSC 2020] |
74-XX - Mechanics of deformable solids [MSC 2020] | |
74K35 - Thin films [MSC 2020] | |
Soggetto non controllato: | Ferroelectric-gate Field Effect Transistors |
Field Effect Transistors with flexible | |
Inorganic Ferroelectric-gate FETs | |
NAND-type Memory Circuits | |
Non-memory Devices | |
One-Transistor Type | |
Organic Ferroelectric-gate FETs | |
Si-Based Ferroelectric-gate FETs | |
Thin film-Based Ferroelectric-gate FETs | |
Persona (resp. second.): | Park, Byung-Eun |
Titolo autorizzato: | Ferroelectric-Gate Field Effect Transistor Memories |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | VAN00233849 |
Lo trovi qui: | Univ. Vanvitelli |
Localizzazioni e accesso elettronico | http://doi.org/10.1007/978-981-15-1212-4 |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |