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Autore: | Wei Su-Huai |
Titolo: | Design of shallow p-type dopants in ZnO [[electronic resource] ] : preprint / / S.H. Wei, J. Li, and Y. Yan |
Pubblicazione: | Golden, Colo. : , : National Renewable Energy Laboratory, , [2008] |
Descrizione fisica: | 1 online resource (4 pages) : illustrations |
Soggetto topico: | Semiconductor doping |
Doped semiconductors | |
Crystals - Defects | |
Altri autori: | LiJian YanYixun |
Note generali: | Title from title screen (viewed June 9, 2008). |
"May 2008." | |
"Presented at the 33rd IEEE Photovoltaic Specialists Conference, San Diego, California, May 11-16, 2008." | |
"The submitted manuscript has been offered by an employee of the Midwest Research Institute (MRI), a contractor of the US Government under Contract No. DE-AC36-99GO10337." | |
Nota di bibliografia: | Includes bibliographical references (page 4). |
Altri titoli varianti: | Resolving Environmental and Grid Reliability Conflicts Act of 2012 |
Design of Shallow P-Type Dopants in ZnO | |
Titolo autorizzato: | Design of shallow p-type dopants in ZnO |
Formato: | Materiale a stampa |
Livello bibliografico | Monografia |
Lingua di pubblicazione: | Inglese |
Record Nr.: | 9910698523503321 |
Lo trovi qui: | Univ. Federico II |
Opac: | Controlla la disponibilità qui |