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{"sheet":"report2","index":0,"n_rows":24,"n_cols":5,"rows_kept":24,"cut":false,"hidden":false,"merged":[[0,2,0,3],[0,4,0,5],[1,2,1,3],[1,4,1,5],[2,2,2,3],[3,2,3,3],[4,2,4,3],[5,2,5,3],[8,2,8,3],[8,4,8,5],[9,2,9,3],[9,4,9,5],[10,2,10,3],[12,2,12,3],[13,2,13,3],[14,2,14,3],[15,2,15,3],[16,2,16,3],[17,2,17,3],[18,2,18,3],[21,2,21,3]],"flags":["formulas_cached_only"]}
[null,"1.","Record Nr.",null,"UNISALENTO991002855249707536"]
[null,null,"Titolo",null,"Thin solid films. - 1967-"]
[null,null,"Pubbl/distr/stampa",null,"Lausanne, 1967-"]
[null,null,"ISSN",null,"0040-6090"]
[null,null,"Lingua di pubblicazione",null,"Inglese"]
[null,null,"Formato",null,"Materiale a stampa"]
[null,null,null,"Livello bibliografico","Periodico"]
[null,null,null,"Note generali","Pubblicato anche in formato elettronico."]
[null,"2.","Record Nr.",null,"UNINA9910158677403321"]
[null,null,"Titolo",null,"基礎電子工学 / /  藤本晶著"]
[null,null,"Pubbl/distr/stampa",null,"東京, : 森北出版, 2012.6"]
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[null,null,"ISBN",null,"4-627-30431-5"]
[null,null,"Edizione",null,"[1st ed.]"]
[null,null,"Descrizione fisica",null,"オンライン資料1件"]
[null,null,"Classificazione",null,"549"]
[null,null,"Soggetti",null,"電子工学"]
[null,null,"Lingua di pubblicazione",null,"Giapponese"]
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[null,null,null,"Livello bibliografico","Monografia"]
[null,null,null,"Note generali","参考文献: p164"]
[null,null,"Nota di contenuto",null,"紙 -- まえがき -- 目次 -- 序章　 子工学とは -- 第1章　 磁界中の 子 -- 1.1　 子とその性 -- 1.2　 磁界中の 子の 動 -- 1.2.1　 界中の 子の 動 -- 1.2.2　磁界中の 子の 動 -- 1.3　光 効果 -- 1.4　物 波 -- 1.5　真空中の 子の応用 -- 1.5.1　  偏向ブラウン管 -- 1.5.2　サイクロトロン加 器 -- 演習問 -- 第2章　原子中の 子 -- 2.1　水素原子の発光スペクトル -- 2.2　ボーアのモデル -- 2.3　水素原子スペクトルとの対比 -- 2.4　 子数とパウリの排他原理 -- 2.4.1　 子数 -- 2.4.2　パウリの排他原理 -- 2.5　原子中の 子 置 -- 2.5.1　 子数と 子 置 -- 2.5.2　原子中の 子 置 -- 演習問 -- 第3章　固体中の 子 -- 3.1　シュレディンガーの波動方程式 -- 3.2　ゾンマーフェルトのモデル -- 演習問 -- 第4章　固体のエネルギー帯 -- 4.1　エネルギー帯の形成 -- 4.2　半導体のエネルギー帯 -- 4.3　絶縁体および 属のエネルギー帯 -- 4.4　 子と正孔 -- 4.5　ドナー不純物とアクセプタ不純物 -- 4.5.1　ドナー不純物とn型半導体 -- 4.5.2　アクセプタ不純物とp型半導体 -- 4.5.3　多数キャリアと少数キャリア -- 演習問 -- 第5章　キャリア密度と 気伝導率 -- 5.1　半導体中のキャリア密度 -- 5.2　状態密度 数 -- 5.3　フェルミ-ディラックの分布 数 -- 5.4　 子密度 -- 5.5　正孔密度 -- 5.6　熱平 時のpn積 -- 5.7　真性半導体のフェルミ準位 -- 5.8　ホール効果 -- 演習問 -- 第6章　有効  と移動度 -- 6.1　有効 -- 6.2　キャリアの移動度 -- 演習問 -- 第7章　拡散 流と 続の方程式 -- 7.1　拡散 流 -- 7.2　ドリフト 流 -- 7.3　キャリアの発生と再結合 -- 7.4　少数キャリアの 続の方程式 -- 演習問 -- 第8章　p-n接合 -- 8.1　拡散 位と空乏層 -- 8.2　p-n接合ダイオード -- 8.2.1　p-n接合ダイオードの整流作用 -- 8.2.2　p-n接合ダイオードの 流- 圧特性 -- 8.2.3　p-n接合ダイオードの空乏層 -- 8.2.4　p-n接合ダイオードの  容 -- 8.2.5　p-n接合の 伏現 -- 演習問 -- 第9章　バイポーラトランジスタ -- 9.1　トランジスタの構 と原理 -- 9.2　トランジスタの動作特性 -- 演習問 -- 第10章　 属-半導体接合 -- 10.1　ショットキー接合 -- 10.2　ショットキーダイオード -- 10.3　オーミック接合と 極 -- 演習問 -- 第11章　 属-絶縁体-半導体構 -- 11.1　理想MIS構 -- 11.2　反 状態の 析 -- 11.3　MIS構 に えられる -- 演習問 -- 第12章　MOSFET -- 12.1　MOSFETの構 -- 12.2　MOSFETの動作 -- 12.3　MOSFETの特性 析 -- 12.4　MOSFETの種 と 号 -- 12.5　"]
[{"$nulls":4},"MOSキャパシタの特性 -- 演習問 -- 第13章　 積回 -- 13.1　モノリシック 積回 の概 -- 13.2　バイポーラ 積回 -- 13.3　MOS 積回 -- 13.4　C-MOS 積回 -- 13.5　 積回 の 法 -- 演習問 -- 第14章　光半導体素子 -- 14.1　エネルギーギャップと光 -- 14.2　発光ダイオード -- 14.3　半導体レーザ -- 14.3.1　光の吸収と 導放出 -- 14.3.2　ダブルヘテロ構 -- 14.3.3　半導体レーザの特性 -- 14.4　フォトダイオードと太  池 -- 14.4.1　光導 効果と光導 セル -- 14.4.2　光  力効果と太  池 -- 14.4.3　フォトダイオード -- 演習問 -- 第15章　その他のデバイス -- 15.1　ディスプレイデバイス -- 15.1.1　液晶ディスプレイデバイス -- 15.1.2　その他のディスプレイデバイス -- 15.2　センサデバイス -- 15.2.1　圧力センサ."]
[{"$nulls":4},"15.2.2　半導体ガスセンサ -- 演習問 -- 演習問  答 -- 参 文献 -- 索引 -- 奥付."]