{"text_format":"2","workbook":"xls","n_sheets":1,"sheets":["report2"],"not_rendered":{"charts":0,"images":0,"macros":0,"external_links":1,"defined_names":2,"comments":0,"pivot_tables":0},"unopened":[],"bounds":{"document_bytes":16777216,"sheet_cells":100000,"run_cost":"one","rows_first":2000,"rows_last":500,"rows_between":2000,"halvings":0,"cell_chars":16384,"cell_head_chars":4096},"cells_cut":0,"cells_raw":0,"read":"whole","date_system":"1900","formulas":"cached_only"}

{"sheet":"report2","index":0,"n_rows":35,"n_cols":5,"rows_kept":35,"cut":false,"hidden":false,"merged":[[0,2,0,3],[0,4,0,5],[1,2,1,3],[1,4,1,5],[2,2,2,3],[3,2,3,3],[7,2,7,3],[8,2,8,3],[9,2,9,3],[11,2,11,3],[12,2,12,3],[14,2,14,3],[15,2,15,3],[19,2,19,3],[21,2,21,3],[21,4,21,5],[22,2,22,3],[22,4,22,5],[23,2,23,3],[23,4,23,5],[24,2,24,3],[25,2,25,3],[26,2,26,3],[27,2,27,3],[28,2,28,3],[30,2,30,3],[31,2,31,3]],"flags":["formulas_cached_only"]}
[null,"1.","Record Nr.",null,"UNINA9910139868803321"]
[null,null,"Titolo",null,"Reliability wearout mechanisms in advanced CMOS technologies / / Alvin W. Strong ... [et al.]"]
[null,null,"Pubbl/distr/stampa",null,"Piscataway, New Jersey : , : IEEE Press, , c2009"]
[null,null,"ISBN",null,"1-282-33149-3"]
[{"$nulls":4},"9786612331497"]
[{"$nulls":4},"0-470-45526-8"]
[{"$nulls":4},"0-470-45525-X"]
[null,null,"Descrizione fisica",null,"1 online resource (642 p.)"]
[null,null,"Collana",null,"IEEE Press series on microelectronic systems ; ; 12"]
[null,null,"Classificazione",null,"ELT 358f"]
[{"$nulls":4},"ZN 4960"]
[null,null,"Disciplina",null,"621.39732"]
[null,null,"Soggetti",null,"Metal oxide semiconductors, Complementary - Reliability"]
[{"$nulls":4},"Microelectronics"]
[null,null,"Lingua di pubblicazione",null,"Inglese"]
[null,null,"Formato",null,"Materiale a stampa"]
[null,null,null,"Livello bibliografico","Monografia"]
[null,null,null,"Note generali","Description based upon print version of record."]
[null,null,null,"Nota di bibliografia","Includes bibliographical references and index."]
[null,null,"Nota di contenuto",null,"Introduction / Alvin W. Strong -- Dielectric characterization and reliability methodology / Ernest Y. Wu, Rolf-Peter Vollertsen, and Jordi Suñé -- Dielectric breakdown of gate oxides: physics and experiments / Ernest Y. Wu, Rolf-Peter Vollertsen, and Jordi Suñé -- Negative bias temperature instabilities in pMOSFET devices / Giuseppe LaRosa -- Hot carriers / Stewart E. Rauch, III -- Stress-induced voiding / Timothy D. Sullivan -- Electromigration / Timothy D. Sullivan."]
[null,null,null,"Sommario/riassunto","A comprehensive treatment of all aspects of CMOS reliability wearout mechanisms This book covers everything students and professionals need to know about CMOS reliability wearout mechanisms, from basic concepts to the tools necessary to conduct reliability tests and analyze the results. It is the first book of its kind to bring together the pertinent physics, equations, and procedures for CMOS technology reliability in one place. Divided into six relatively independent topics, the book covers: Introduction to Reliability Gate Dielectric Reliability Negative Bias"]
[null,"2.","Record Nr.",null,"UNINA9910313031703321"]
[null,null,"Autore",null,"Álvarez Garcia Genaro"]
[null,null,"Titolo",null,"Karsts et évolutions climatiques : Hommage à Jean Nicod / / Jean-Noël Salomon, Richard Maire"]
[null,null,"Pubbl/distr/stampa",null,"Pessac, : Presses Universitaires de Bordeaux, 2018"]
[null,null,"ISBN",null,"979-1-03-000386-4"]
[null,null,"Descrizione fisica",null,"1 online resource (520 p.)"]
[null,null,"Disciplina",null,"551.4/47"]
[null,null,"Soggetti",null,"Karst"]
[{"$nulls":4},"Paleoclimatology"]
[null,null,"Lingua di pubblicazione",null,"Francese"]
[null,null,"Formato",null,"Materiale a stampa"]
[null,null,null,"Livello bibliografico","Monografia"]
[null,null,null,"Sommario/riassunto","Publié en hommage à Jean NICOD, karstologue français de réputation internationale, \"Karst et Évolutions Climatiques\" a aussi pour but de faire le point sur l'évolution d'une science neuve issue notamment de la géomorphologie, de la spéléologie et de l'hydrogéologie. Après un rappel de l'histoire de la Karstologie française de 1900 à 1992, plusieurs scientifiques s'interrogent sur la problématique et la limite de validité des concepts de la géomorphologie climatique. La variété des paysages calcaires et des systèmes karstiques est remarquable à l'échelle de la planète en raison du rôle combiné des paramètres litho-stratigraphiques, tectoniques, géomorphologiques et climatiques. On voyage ainsi de la naissance de la karstification sur les atolls coralliens jusqu'aux karsts subpolaires de Sibérie et du Spitzberg en passant par les karsts tropicaux, méditerranéens et alpins.  Mais le karst a une dimension supplémentaire représentée par l'ensemble des réseaux souterrains, conduits et fissures. Cette interdépendance entre spéléologie et karstologie de surface est de plus en plus prise en compte par les chercheurs qui privilégient, à juste titre, l'étude des remplissages endokarstiques, véritables archives de l'Environnement, dont l'importance a été accrue ces dernières décennies par les possibilités de datations, notamment isotopiques. L'ouvrage se termine par une synthèse des karsts et paléokarsts du Périgord et du Quercy, car ils constituent un des exemples d'évolution karstique à long terme (depuis la fin de l'ère secondaire) les mieux connus.  Au total, 35 articles de scientifiques étrangers et français qui permettent de juger "]
[{"$nulls":4},"de la richesse des terrains karstiques, des concepts renouvelés de la Karstologie et des perspectives de recherches. Essentiellement axé sur la recherche fondamentale, cet ouvrage comporte plusieurs articles de synthèse et ouvre grand la porte aux études appliquées ; en effet on ne peut parler d'Environnement avec compétence que si l'on connaît…"]