LEADER 00959nam a2200229 i 4500
001 991000832619707536
005 20020507102042.0
008 930515s1989    |||           ||| |  ita 
035   $ab1013590x-39ule_inst
035   $aLE00637591$9ExL
040   $aDip.to Fisica$bita
100 1 $aTerzi, R.$0461228
245 10$aBarriere Schottky Ti-GaAs preparate mediante "Ion-beam sputtering" /$claureando Roberto Terzi ; relatore Lorenzo Vasanelli
260   $aLecce :$bUniversità degli studi, Lecce. Facoltà di Scienze. Corso di laurea in Fisica,$ca.a. 1989-90
300   $a149 p.
700 1 $aVasanelli, Lorenzo
907   $a.b1013590x$b02-04-14$c27-06-02
912   $a991000832619707536
945   $aLE006 T482$g1$iLE006-T482$lle006$o-$pE0.00$q-$rn$so  $t0$u0$v0$w0$x0$y.i10160401$z27-06-02
996   $aBarriere Schottky Ti-GaAs preparate mediante "Ion-beam sputtering"$9185296
997   $aUNISALENTO
998   $ale006$b01-01-93$cm$da  $e-$feng$gxx $h0$i1