LEADER 08084nam 22006135 450 001 9910807083703321 005 20240516014457.0 010 $a3-642-97675-1 024 7 $a10.1007/978-3-642-97675-9 035 $a(CKB)3400000000110259 035 $a(SSID)ssj0001247344 035 $a(PQKBManifestationID)11732153 035 $a(PQKBTitleCode)TC0001247344 035 $a(PQKBWorkID)11193540 035 $a(PQKB)11579379 035 $a(DE-He213)978-3-642-97675-9 035 $a(MiAaPQ)EBC3097284 035 $a(PPN)237992434 035 $a(EXLCZ)993400000000110259 100 $a20121227d1996 u| 0 101 0 $aeng 135 $aurnn|008mamaa 181 $ctxt 182 $cc 183 $acr 200 10$aSemiconductors ? Basic Data /$fedited by Otfried Madelung 205 $a2nd ed. 1996. 210 1$aBerlin, Heidelberg :$cSpringer Berlin Heidelberg :$cImprint: Springer,$d1996. 215 $a1 online resource (VIII, 317 p.) 300 $aBibliographic Level Mode of Issuance: Monograph 311 $a3-540-60883-4 311 $a3-642-97677-8 320 $aIncludes bibliographical references at the end of each chapters. 327 $aA Introduction -- 1 General remarks -- 2 The corresponding Landolt-Börnstein volumes -- 3 Physical quantities tabulated in this volume -- B Physical data -- 1 Elements of the IVth group and IV-IV compounds -- 2 III-V compounds -- 3 Elements (other than group IV elements) -- 4 Binary compounds (other than III-V compounds) -- 5 Ternary compounds -- 6 Further compounds with semiconducting properties -- 7 Figures to chapters 3, 4 and 5 -- 1 Index of Substances -- 2 Synopsis of the sections of this book and the corresponding sections of volumes III/17, III/22 and III/23a of the New Series of Landolt-Börnstein -- 3 Contents of the volumes of the New Series of Landolt-Börnstein dealing with semiconductors. 330 $aThe frequent use of well known critical data handbooks like Beilstein, Gmelin and Landolt-Bomstein is impeded by the fact that merely larger libraries - often far away from the scientist's working place - can afford such precious collections. To satisfy an urgent need of many scientists working in the field of semiconductor physics for having at their working place a comprehensive, high quality, but cheap collection of at least the basic data of their field of interest this volume contains the most important data of semiconductors. All data were compiled from information on semiconductors presented on more than 6000 pages in various volumes of the New Series of Landolt-Bomstein. We hope to meet the needs of the community of semiconductor physicists with this volume, forming a bridge between the laboratory and additional information sources in the libraries. The Editor Marburg, January 1996 Table of contents A Introduction 1 General remarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2 The corresponding Landolt-Bomstein volumes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 3 Physical quantities tabulated in this volume . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 B Physical data Elements of the IVth group and IV-IV compounds 1. 1 Diamond (C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 1. 2 Silicon (Si) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 1. 3 Germanium (Ge) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28 1. 4 Grey tin (a-Sn) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42 1. 5 Silicon carbide (SiC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47 1. 6 Silicon germanium alloys (SixGel_x) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57 2 III-V compounds 2. 1 Boron nitride (BN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 2. 2 Boron phosphide (BP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65 2. 3 Boron arsenide (BAs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68 2. 4 Aluminium nitride (AIN) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69 2. 5 Aluminium phosphide (AlP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72 2. 6 Aluminium arsenide (AlAs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 606 $aPhysics 606 $aElectronics 606 $aMicroelectronics 606 $aPhysics, general$3https://scigraph.springernature.com/ontologies/product-market-codes/P00002 606 $aElectronics and Microelectronics, Instrumentation$3https://scigraph.springernature.com/ontologies/product-market-codes/T24027 615 0$aPhysics. 615 0$aElectronics. 615 0$aMicroelectronics. 615 14$aPhysics, general. 615 24$aElectronics and Microelectronics, Instrumentation. 676 $a530 702 $aMadelung$b Otfried$4edt$4http://id.loc.gov/vocabulary/relators/edt 801 0$bMiAaPQ 801 1$bMiAaPQ 801 2$bMiAaPQ 906 $aBOOK 912 $a9910807083703321 996 $aSemiconductors-basic data$91430353 997 $aUNINA