LEADER 04210 am 2200769 n 450 001 9910280875803321 005 20171222 010 $a2-11-139945-0 035 $a(CKB)4100000005183198 035 $a(FrMaCLE)OB-deps-1199 035 $a(oapen)https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/58256 035 $a(PPN)241290686 035 $a(EXLCZ)994100000005183198 100 $a20180223j|||||||| ||| 0 101 0 $afre 135 $auu||||||m|||| 181 $ctxt$2rdacontent 182 $cc$2rdamedia 183 $acr$2rdacarrier 200 14$aLes représentations de la culture dans la population française /$fJean-Michel Guy 210 $aParis $cDépartement des études, de la prospective et des statistiques$d2017 215 $a1 online resource (18 p.) 330 $aQue recouvre le terme de « culture » dans l?esprit des Français, quelles sont les représentations spontanées qui lui sont associées et à quels registres renvoient-elles ? Pour le savoir, et dans la perspective de la reconduite de l?enquête décennale sur les pratiques culturelles des Français réalisée depuis 1970 par le ministère de la Culture et de la Communication, le Département des études, de la prospective et des statistiques a mené, auprès d?un échantillon de 1 500 personnes représentatives de la population française, une étude sur les représentations et les valeurs associées à la culture. Les évocations spontanées de mots et expressions pour référer à la culture peuvent être regroupées, selon leur proximité sémantique, en 28 registres. Le premier d?entre eux, mobilisé par 41 % des Français, fait référence au savoir et à la connaissance, le deuxième à la littérature et à la lecture et le troisième à la musique et à la danse. Si l?on observe un consensus autour du patrimoine et des arts, mais aussi des voyages, de la science et de la cuisine comme faisant partie de la culture dans tous les cas, des lignes communes de rejet se dessinent également, excluant du champ culturel les émissions de téléréalité et les séries télévisées, les jeux vidéo ou les parcs d?attractions. Quatre grands types de conception de la culture se dégagent : le libéralisme culturel (tout est culturel), l?éclectisme critique (tout est potentiellement culturel, selon certains critères), le classicisme (le champ culturel n?est pas extensible) et l?attitude contestataire (la vraie culture est ailleurs). Si les jeunes (15-24 ans) incluent volontiers dans la culture des modes ­d?expression et des formes de culture médiatique, et les femmes un plus grand nombre de contenus et d?activités que les hommes, on observe globalement une faible influence des variables qui déterminent historiquement la participation culturelle, en particulier l?origine sociale. Tout se passe comme si une représentation? 606 $aCultural studies 606 $acinéma 606 $aaudiovisuel 606 $aconsommation culturelle 606 $adanse 606 $aethnologie 606 $aindustries culturelles 606 $alivre et lecture 606 $amusées 606 $amusique 606 $aspectacle 606 $athéâtre 606 $ausages culturels 610 $aspectacle 610 $aindustries culturelles 610 $amusées 610 $aconsommation culturelle 610 $adanse 610 $aaudiovisuel 610 $alivre et lecture 610 $ausages culturels 610 $aethnologie 610 $amusique 610 $acinéma 610 $athéâtre 615 4$aCultural studies 615 4$acinéma 615 4$aaudiovisuel 615 4$aconsommation culturelle 615 4$adanse 615 4$aethnologie 615 4$aindustries culturelles 615 4$alivre et lecture 615 4$amusées 615 4$amusique 615 4$aspectacle 615 4$athéâtre 615 4$ausages culturels 700 $aGuy$b Jean-Michel$01302316 801 0$bFR-FrMaCLE 906 $aBOOK 912 $a9910280875803321 996 $aLes représentations de la culture dans la population française$93029749 997 $aUNINA LEADER 02640oam 2200685M 450 001 9910715739403321 005 20191123062010.4 035 $a(CKB)5470000002514682 035 $a(OCoLC)1065579642 035 $a(OCoLC)995470000002514682 035 $a(EXLCZ)995470000002514682 100 $a20070221d1852 ua 0 101 0 $aeng 135 $aurcn||||||||| 181 $ctxt$2rdacontent 182 $cc$2rdamedia 183 $acr$2rdacarrier 200 10$aMexican indemnity -- correspondence. Message from the President of the United States, transmitting correspondence in reference to the payment of the Mexican indemnity. January 23, 1852. Committed to the Committee of the Whole House on the State of the Union, and ordered to be printed 210 1$a[Washington, D.C.] :$c[publisher not identified],$d1852. 215 $a1 online resource (10 pages) 225 1 $aEx. doc. / 32nd Congress, 1st session. House ;$vno. 42 225 1 $a[United States congressional serial set ] ;$v[serial no. 640] 300 $aBatch processed record: Metadata reviewed, not verified. Some fields updated by batch processes. 300 $aFDLP item number not assigned. 606 $aCollecting of accounts 606 $aDiplomacy 606 $aDrafts 606 $aGovernment contractors 606 $aGovernment securities 606 $aGovernment liability (International law) 606 $aClaims 606 $aInternational relations 606 $aLoans 606 $aPublic contracts 606 $aTreaties 606 $aPayment 608 $aLegislative materials.$2lcgft 615 0$aCollecting of accounts. 615 0$aDiplomacy. 615 0$aDrafts. 615 0$aGovernment contractors. 615 0$aGovernment securities. 615 0$aGovernment liability (International law) 615 0$aClaims. 615 0$aInternational relations. 615 0$aLoans. 615 0$aPublic contracts. 615 0$aTreaties. 615 0$aPayment. 701 $aFillmore$b Millard$f1800-1874.$01391306 712 02$aUnited States.$bPresident (1850-1853 : Fillmore) 712 02$aUnited States.$bDepartment of State. 801 0$bWYU 801 1$bWYU 801 2$bOCLCO 801 2$bOCLCQ 906 $aBOOK 912 $a9910715739403321 996 $aMexican indemnity -- correspondence. Message from the President of the United States, transmitting correspondence in reference to the payment of the Mexican indemnity. January 23, 1852. Committed to the Committee of the Whole House on the State of the Union, and ordered to be printed$93493569 997 $aUNINA LEADER 05603nam 2200685 a 450 001 9910830439703321 005 20170816123757.0 010 $a1-118-60275-7 010 $a1-118-60276-5 010 $a1-118-60280-3 035 $a(CKB)2670000000336696 035 $a(EBL)1124672 035 $a(SSID)ssj0000831910 035 $a(PQKBManifestationID)11462092 035 $a(PQKBTitleCode)TC0000831910 035 $a(PQKBWorkID)10881243 035 $a(PQKB)10854713 035 $a(MiAaPQ)EBC1124672 035 $a(CaSebORM)9781118602805 035 $a(OCoLC)828424625 035 $a(EXLCZ)992670000000336696 100 $a20110916d2011 uy 0 101 0 $aeng 135 $aur|n|---||||| 181 $ctxt 182 $cc 183 $acr 200 00$aFerroelectric dielectrics integrated on silicon$b[electronic resource] /$fedited by Emmanuel Defay 205 $a1st edition 210 $aLondon $cISTE Ltd. ;$aHoboken, N.J. $cJohn Wiley$d2011 215 $a1 online resource (464 p.) 225 1 $aISTE 300 $aAdapted and updated from: Dielectriques ferroelectriques integres sur silicium, published in France by Hermes Science/Lavoisier, 2011. 311 $a1-84821-313-1 320 $aIncludes bibliographical references and index. 327 $aCover; Title Page; Copyright Page; Table of Contents; Preface; Chapter 1. The Thermodynamic Approach; 1.1. Background; 1.2. The functions of state; 1.3. Linear equations, piezoelectricity; 1.4. Nonlinear equations, electrostriction; 1.5. Thermodynamic modeling of the ferroelectric-paraelectricphase transition; 1.5.1. Assumption on the elastic Gibbs energy; 1.5.2. Second-order transition; 1.5.3. Effect of stress; 1.5.4. First-order transition; 1.6. Conclusion; 1.7. Bibliography; Chapter 2. Stress Effect on Thin Films; 2.1. Introduction; 2.2. Modeling the system under consideration 327 $a2.3. Temperature-misfit strain phase diagrams for monodomain films2.3.1. Phase diagram construction from the Landau-Ginzburg-Devonshire theory; 2.3.2. Calculations limitations; 2.4. Domain stability map; 2.4.1. Presentation and description of the framework of study; 2.4.2. Main contributions to the total energy of a film; 2.4.3. Influence of thickness; 2.4.4. Macroscopic elastic energy for each type of tetragonal domain; 2.4.5. Indirect interaction energy; 2.4.6. Domain structures at equilibrium; 2.4.7. Domain stability map; 2.5. Temperature-misfit strain phase diagram for polydomain films 327 $a2.6. Discussion of the nature of the "misfit strain"2.6.1. Mechanical misfit strain; 2.6.2. Thermodynamic misfit strain; 2.6.3. As an illustration; 2.7. Conclusion; 2.8. Experimental validation of phase diagrams: state of the art; 2.9. Case study; 2.10. Results; 2.10.1. Evolution of the lattice parameters; 2.10.2. Associated stresses and strains; 2.11. Comparison between the experimental data and the temperature-misfit strain phase diagrams; 2.11.1. Thin film of PZT; 2.11.2. Thin layer of PbTiO3; 2.12. Conclusion; 2.13. Bibliography; Chapter 3. Deposition and Patterning Technologies 327 $a3.1. Deposition method3.1.1. Cathodic sputtering; 3.1.2. Ion beam sputtering; 3.1.3. Pulsed laser deposition; 3.1.4. The sol-gel process; 3.1.5. The MOCVD; 3.1.6. Molecular beam epitaxy; 3.2. Etching; 3.2.1. Wet etching; 3.2.2. Dry etching; 3.3. Contamination; 3.4. Monocrystalline thin-film transfer; 3.4.1. Smart CutTM technology; 3.4.2. Bonding/thinning; 3.4.3. Interest in the material in a thin layer; 3.4.4. State of the art of the domain/applications; 3.4.5. An exemplary implementation; 3.5. Design of experiments; 3.5.1. The assumptions; 3.5.2. Reproducibility 327 $a3.5.3. How can we reduce the number of experiments?3.5.4. A DOE example: PZT RF magnetron sputtering deposition; 3.6. Conclusion; 3.7. Bibliography; Chapter 4. Analysis Through X-ray Diffraction of Polycrystalline Thin Films; 4.1. Introduction; 4.2. Some reminders of X-ray diffraction and crystallography; 4.2.1. Nature of X-rays; 4.2.2. X-ray scattering and diffraction; 4.3. Application to powder or polycrystalline thin-films; 4.4. Phase analysis by X-ray diffraction; 4.4.1. Grazing incidence diffraction; 4.4.2. De-texturing; 4.4.3. Quantitative analysis 327 $a4.5. Identification of coherent domain sizes of diffraction and micro-strains 330 $aThis book describes up-to-date technology applied to high-K materials for More Than Moore applications, i.e. microsystems applied to microelectronics core technologies.After detailing the basic thermodynamic theory applied to high-K dielectrics thin films including extrinsic effects, this book emphasizes the specificity of thin films. Deposition and patterning technologies are then presented. A whole chapter is dedicated to the major role played in the field by X-Ray Diffraction characterization, and other characterization techniques are also described such as Radio frequency characterizat 410 0$aISTE 606 $aFerroelectric thin films 606 $aSilicon$xElectric properties 606 $aElectric batteries$xCorrosion 615 0$aFerroelectric thin films. 615 0$aSilicon$xElectric properties. 615 0$aElectric batteries$xCorrosion. 676 $a621.3815/2 676 $a621.38152 700 $aDefaÿ$b Emmanuel$0863199 701 $aDefay?$b Emmanuel$0863199 801 0$bMiAaPQ 801 1$bMiAaPQ 801 2$bMiAaPQ 906 $aBOOK 912 $a9910830439703321 996 $aFerroelectric dielectrics integrated on silicon$94084710 997 $aUNINA