LEADER 02664 am 2200385 n 450 001 9910569201203321 005 20240104030653.0 010 $a2-7535-6153-2 024 7 $a10.4000/books.pur.74340 035 $a(CKB)4100000012875738 035 $a(FrMaCLE)OB-pur-74340 035 $a(PPN)267767552 035 $a(EXLCZ)994100000012875738 100 $a20220524j|||||||| ||| 0 101 0 $afre 135 $auu||||||m|||| 200 00$aActeurs$eLe jeu de l'acteur de cinéma$fJames Naremore 210 $aRennes$cPresses universitaires de Rennes$d2018 215 $a1 online resource (342 p.) 311 $a2-7535-3359-8 330 $aDans cette fine analyse, James Naremore propose des moyens et des outils pour, à l'ère de la reproduction mécanique et numérique, étudier le jeu de l'acteur de cinéma. Il montre les implications idéologiques derrière les différentes approches actorales et il suggère comment le comportement à l'écran est lié à la manière dont l'individu se comporte en société. Naremore montre aussi comment les techniques théâtrales traditionnelles ont été adaptées au cinéma grand public, qui rationalise souvent le jeu en valorisant l'« être » plutôt que le « faire ». C'est là aussi que des personnalités sont perçues comme « naturelles », alors qu'elles abordent le personnage de façon stylisée. Après avoir analysé sept grandes stars classiques hollywoodiennes, chacune dans un film particulier, Naremore fait également une lecture attentive de différentes formes de théâtralité à partir de deux films, Fenêtre sur cour et La Valse des pantins, qui traitent de la « représentation ». Ce qu'il dit de Lillian Gish, de Marlene Dietrich, de James Cagney ou de Cary Grant intéressera autant le spécialiste que le commun des lecteurs. Mais en même temps, Naremore met en place des critères et des méthodes pour ceux qui, après lui, écriront sur les acteurs de cinéma et leur art. Publié en 1988 aux États-Unis, Acting in the cinema de James Naremore est vite devenu l'un des textes fondamentaux pour qui veut étudier le cinéma sous l'angle de l'acteur. C'est un livre incontournable dans la discipline relativement récente des études actorales et sa traduction était attendue depuis longtemps. 606 $aFilm Radio Television 606 $acinéma 606 $ajeu 606 $aacteur 615 4$aFilm Radio Television 615 4$acinéma 615 4$ajeu 615 4$aacteur 700 $aNaremore$b James$0456838 801 0$bFR-FrMaCLE 906 $aBOOK 912 $a9910569201203321 996 $aActeurs$93658871 997 $aUNINA LEADER 05317nam 22006371a 450 001 9910831054003321 005 20230721023400.0 010 $a1-282-36840-0 010 $a9786612368400 010 $a0-470-46234-5 010 $a0-470-46231-0 035 $a(CKB)1000000000822051 035 $a(EBL)469205 035 $a(OCoLC)536092917 035 $a(SSID)ssj0000297114 035 $a(PQKBManifestationID)11267250 035 $a(PQKBTitleCode)TC0000297114 035 $a(PQKBWorkID)10333467 035 $a(PQKB)10770950 035 $a(MiAaPQ)EBC469205 035 $a(EXLCZ)991000000000822051 100 $a20081126d2009 uy 0 101 0 $aeng 135 $aur|n|---||||| 181 $ctxt 182 $cc 183 $acr 200 10$aFundamentals of RF and microwave transistor amplifiers$b[electronic resource] /$fInder Bahl 210 $aOxford $cWiley$d2009 215 $a1 online resource (697 p.) 300 $aDescription based upon print version of record. 311 $a0-470-39166-9 320 $aIncludes bibliographical references and index. 327 $aFundamentals of RF and Microwave Transistor Amplifiers; Contents in Brief; Contents; Foreword; Preface; 1. Introduction; 1.1. Transistor Amplifier; 1.2. Early History of Transistor Amplifiers; 1.3. Benefits of Transistor Amplifiers; 1.4. Transistors; 1.5. Design of Amplifiers; 1.6. Amplifier Manufacturing Technologies; 1.7. Applications of Amplifiers; 1.8. Amplifier Cost; 1.9. Current Trends; 1.10. Book Organization; References; 2. Linear Network Analysis; 2.1. Impedance Matrix; 2.2. Admittance Matrix; 2.3. ABCD Parameters; 2.4. S-Parameters; 2.4.1. S-Parameters for a One-Port Network 327 $a2.5. Relationships Between Various Two-Port ParametersReferences; Problems; 3. Amplifier Characteristics and Definitions; 3.1. Bandwidth; 3.2. Power Gain; 3.3. Input and Output VSWR; 3.4. Output Power; 3.5. Power Added Efficiency; 3.6. Intermodulation Distortion; 3.6.1. IP3; 3.6.2. ACPR; 3.6.3. EVM; 3.7. Harmonic Power; 3.8. Peak-to-Average Ratio; 3.9. Combiner Efficiency; 3.10. Noise Characterization; 3.10.1. Noise Figure; 3.10.2. Noise Temperature; 3.10.3. Noise Bandwidth; 3.10.4. Optimum Noise Match; 3.10.5. Constant Noise Figure and Gain Circles; 3.10.6. Simultaneous Input and Noise Match 327 $a3.11. Dynamic Range3.12. Multistage Amplifier Characteristics; 3.12.1. Multistage IP3; 3.12.2. Multistage PAE; 3.12.3. Multistage NF; 3.13. Gate and Drain Pushing Factors; 3.14. Amplifier Temperature Coefficient; 3.15. Mean Time to Failure; References; Problems; 4. Transistors; 4.1. Transistor Types; 4.2. Silicon Bipolar Transistor; 4.2.1. Figure of Merit; 4.2.2. High-Frequency Noise Performance of Silicon BJT; 4.2.3. Power Performance; 4.3. GaAs MESFET; 4.3.1. Small-Signal Equivalent Circuit; 4.3.2. Figure of Merit; 4.3.3. High-Frequency Noise Properties of MESFETs 327 $a4.4. Heterojunction Field Effect Transistor4.4.1. High-Frequency Noise Properties of HEMTs; 4.4.2. Indium Phosphide pHEMTs; 4.5. Heterojunction Bipolar Transistors; 4.5.1. High-Frequency Noise Properties of HBTs; 4.5.2. SiGe Heterojunction Bipolar Transistors; 4.6. MOSFET; References; Problems; 5. Transistor Models; 5.1. Transistor Model Types; 5.1.1. Physics/Electromagnetic Theory Based Models; 5.1.2. Analytical or Hybrid Models; 5.1.3. Measurement Based Models; 5.2. MESFET Models; 5.2.1. Linear Models; 5.2.2. Nonlinear Models; 5.3. pHEMT Models; 5.3.1. Linear Models; 5.3.2. Nonlinear Models 327 $a5.4. HBT Model5.5. MOSFET Models; 5.6. BJT Models; 5.7. Transistor Model Scaling; 5.8. Source-Pull and Load-Pull Data; 5.8.1. Theoretical Load-Pull Data; 5.8.2. Measured Power and PAE Source Pull and Load Pull; 5.8.3. Measured IP3 Source and Load Impedance; 5.8.4. Source and Load Impedance Scaling; 5.9. Temperature-Dependent Models; References; Problems; 6. Matching Network Components; 6.1. Impedance Matching Elements; 6.2. Transmission Line Matching Elements; 6.2.1. Microstrip; 6.2.2. Coplanar Lines; 6.3. Lumped Elements; 6.3.1. Capacitors; 6.3.2. Inductors; 6.3.3. Resistors 327 $a6.4. Bond Wire Inductors 330 $aA Comprehensive and Up-to-Date Treatment of RF and Microwave Transistor Amplifiers This book provides state-of-the-art coverage of RF and microwave transistor amplifiers, including low-noise, narrowband, broadband, linear, high-power, high-efficiency, and high-voltage. Topics covered include modeling, analysis, design, packaging, and thermal and fabrication considerations. Through a unique integration of theory and practice, readers will learn to solve amplifier-related design problems ranging from matching networks to biasing and stability. More than 240 problems are included to help read 606 $aAmplifiers, Radio frequency 606 $aMicrowave amplifiers 606 $aTransistor amplifiers 615 0$aAmplifiers, Radio frequency. 615 0$aMicrowave amplifiers. 615 0$aTransistor amplifiers. 676 $a621.3815/35 676 $a621.381535 700 $aBahl$b I. J$0874089 801 0$bMiAaPQ 801 1$bMiAaPQ 801 2$bMiAaPQ 906 $aBOOK 912 $a9910831054003321 996 $aFundamentals of RF and microwave transistor amplifiers$94028040 997 $aUNINA