LEADER 02213nam 2200505z- 450 001 9910347055603321 005 20231214141237.0 010 $a1000037898 035 $a(CKB)4920000000101960 035 $a(oapen)https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/61216 035 $a(EXLCZ)994920000000101960 100 $a20202102d2013 |y 0 101 0 $ager 135 $aurmn|---annan 181 $ctxt$2rdacontent 182 $cc$2rdamedia 183 $acr$2rdacarrier 200 10$aTransistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich 210 $cKIT Scientific Publishing$d2013 215 $a1 electronic resource (XIII, 217 p. p.) 225 1 $aKarlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik 311 $a3-7315-0161-9 330 $aThe aim of this work is the design of monolithic integrated power amplifiers for frequencies from 200 to 250 GHz and beyond. For this, reliable and flexible transmission line and transistor models are required. The models are created and their accuracy is verified up to 325 GHz. An innovative coupler concept is developed. It is tailor-made for the applied MMIC-technology and the frequency range. Based on this coupler, a novel amplifier topology has been established and applied. 610 $apower amplifier 610 $aIII-V semiconductor 610 $aHEMT 610 $amillimetre-wave 610 $akoplanarer Wellenleiter 610 $amonolithic integrated 610 $amHEMT 610 $aVerbindungshalbleiter 610 $aMikrostreifenleitung 610 $acoplanar waveguide 610 $aFETmillimeterwave 610 $aTerahertz 610 $amicrostrip transmission line 610 $a3-5 610 $aMMIC 610 $aLeistungsverstärker 610 $aMillimeterwelle 700 $aDiebold$b Sebastian$4auth$01312688 906 $aBOOK 912 $a9910347055603321 996 $aTransistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich$93030915 997 $aUNINA