LEADER 03969nam 2200397 450 001 9910131960003321 005 20240208094620.0 010 $a1-55441-877-1 024 7 $a10.1522/cla.maa.con 035 $a(CKB)3680000000168641 035 $a(NjHacI)993680000000168641 035 $a(EXLCZ)993680000000168641 100 $a20240208d2006 uy 0 101 0 $afre 135 $aur||||||||||| 181 $ctxt$2rdacontent 182 $cc$2rdamedia 183 $acr$2rdacarrier 200 10$aCondorcet $ele fondateur des syste?mes scolaires modernes /$fAlain Massot 210 1$aChicoutimi :$cJ.-M. Tremblay,$d2006. 215 $a1 online resource 225 0 $aClassiques des sciences sociales 320 $aIncluds bibliographical references. 327 $aRe?sume? -- Introduction -- 1. Le fondateur des syste?mes scolaires modernes -- 2. Instruction et e?ducation -- 3. E?galite? de droit -- 4. E?galite? de sexe -- 5. L'e?cole gratuite et accessible -- 6. Le curriculum -- 7. Pour une e?cole lai?que autonome -- 8. Une relation pe?dagogique raisonne?e -- 9. Condorcet, premier didacticien -- 10. Pour une science morale lai?que -- 11. Condorcet, pre?curseur de l'e?ducation permanente -- Conclusion -- Re?fe?rences. 330 $aLa notorie?te? de l'oeuvre de Condorcet a beaucoup fluctue? depuis son suicide «pre?ventif» dans la geo?le de Bourg-E?galite? le 7 germinal (27 mars) 1794 [1]. Ignore?e pendant presque un sie?cle, l'?uvre a connu une vogue nouvelle en France a? l'occasion de la mise sur pied de l'instruction publique, lai?que, mixte et obligatoire en 1881-82. Autre rebond a? la fin du XXe sie?cle avec les re?e?ditions de ses e?crits lors du deuxie?me centenaire de la Re?volution. Entre ces deux momentum forts, l'e?clipse est presque totale. L'anecdote concernant le lyce?e de la rue du Havre a? Paris illustre bien cette fluctuation: son nom fut grave?, radie?, puis inscrit de nouveau sur le frontispice de l'institution. Cette inconstance est encore plus surprenante dans le monde de l'e?ducation lorsque l'on sait que ce mathe?maticien-philosophe a jete? les fondements me?mes des syste?mes d'enseignement modernes. Un retour aux the?ses de Condorcet est ne?cessaire aujourd'hui, alors que les institutions qu'il conside?rait ne?cessaires a? l'affranchissement des liens de de?pendance implosent sous une crise de la raison: l'ide?e de la fin de l'instruction publique universelle ne servirait-elle pas a? colmater les failles des syste?mes scolaires de?cadents des socie?te?s modernes? Bref, il faut relire le penseur de l'instruction publique, lai?que, gratuite et mixte au moment me?me ou? l'universalite? de ce principe est remis en cause. Autrement, il faudra envisager la fin de l'e?galite? des droits et des citoyens dans son principe me?me, puisque l'instruction publique est pense?e comme une condition ne?cessaire a? un progre?s vers l'e?galite? et la liberte?. Universalite? ou dissolution de l'e?cole? Tel parai?t-e?tre le nouveau contexte paradoxal pour relire les e?crits sur l'instruction publique du plus grand he?ritier des Lumie?res qui a paye? de sa vie de s'e?tre engage? par raison et passion dans le grand chambardement de 1789.; Le fondateur des syste?mes scolaires modernes ;Instruction et e?ducation ; E?galite? de droit; E?galite? de sexe; L'e?cole gratuite et accessible; Le curriculum; Pour une e?cole lai?que autonome; Une relation pe?dagogique raisonne?e; Condorcet, premier didacticien; Pour une science morale lai?que; Condorcet, pre?curseur de l'e?ducation permanente. 517 $aCondorcet 606 $aEducation$xFrance 615 0$aEducation$xFrance. 676 $a370.944 700 $aMassot$b Alain$0856485 801 0$bNjHacI 801 1$bNjHacl 906 $aBOOK 912 $a9910131960003321 996 $aCondorcet$93907695 997 $aUNINA LEADER 04374nam 2200757z- 450 001 9910557142603321 005 20210501 035 $a(CKB)5400000000040632 035 $a(oapen)https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/68267 035 $a(oapen)doab68267 035 $a(EXLCZ)995400000000040632 100 $a20202105d2021 |y 0 101 0 $aeng 135 $aurmn|---annan 181 $ctxt$2rdacontent 182 $cc$2rdamedia 183 $acr$2rdacarrier 200 00$aHigh-Efficiency Crystalline Silicon Solar Cells 210 $aBasel, Switzerland$cMDPI - Multidisciplinary Digital Publishing Institute$d2021 215 $a1 online resource (90 p.) 311 08$a3-03943-629-5 311 08$a3-03943-630-9 330 $aThis book is composed of 6 papers. The first paper reports a novel technique for the selective emitter formation by controlling the surface morphology of Si wafers. Selective emitter (SE) technology has attracted renewed attention in the Si solar cell industry to achieve an improved conversion efficiency of passivated-emitter rear-contact (PERC) cells. In the second paper, the temperature dependence of the parameters was compared through the PERC of the industrial-scale solar cells. As a result of their analysis, PERC cells showed different temperature dependence for the fill factor loss as temperatures rose. The third paper reports the effects of carrier selective front contact layer and defect state of hydrogenated amorphous silicon passivation layer/n-type crystalline silicon interface. The results demonstrated the effects of band offset determined by band bending at the interface of the passivation layer and carrier selective front contact layer. In addition, the nc-SiOx: H CSFC layer not only reduces parasitic absorption loss but also has a tunneling effect and field-effect passivation. The fourth paper reports excimer laser annealing of hydrogenated amorphous silicon film for TOPCon solar cell application. This paper analyzes the crystallization of a-Si:H via excimer laser annealing (ELA) and compared this process with conventional thermal annealing. The fifth paper reports the contact mechanism between Ag-Al and Si and the change in contact resistance (Rc) by varying the firing profile. Rc was measured by varying the belt speed and peak temperature of the fast-firing furnace. The sixth paper reports a silicon tandem heterojunction solar cell based on a ZnO/Cu2O subcell and a c-Si bottom subcell using electro-optical numerical modeling. The buffer layer affinity and mobility together with a low conduction band offset for the heterojunction are discussed, as well as spectral properties of the device model. 606 $aHistory of engineering and technology$2bicssc 610 $aAg/Al paste 610 $aAl:ZnO (AZO) 610 $aamorphous hydrogenated silicon film 610 $aatomic force microscopy (AFM) 610 $acarrier selective contact 610 $acontact formation 610 $acrystallinity 610 $adegradation degree 610 $adoping process 610 $adouble-diode model 610 $aexcimer laser annealing 610 $afailure rate 610 $afill factor loss analysis 610 $aFourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy 610 $ametallization 610 $aN-doped Cu2O absorber layer 610 $aN-type bifacial solar cells 610 $anumerical electro-optical modeling 610 $ap+ emitter 610 $aparasitic resistance 610 $apassivation 610 $aPERC 610 $arear emitter heterojunction 610 $arecombination current density 610 $ascanning electron microscopy (SEM) 610 $aselective emitter 610 $asilicon tandem heterojunction solar cell 610 $asolar cell 610 $aspectroscopic ellipsometry (SE) 610 $asurface morphology 610 $atemperature dependence 610 $athermal annealing 610 $aX-ray diffraction (XRD) 615 7$aHistory of engineering and technology 700 $aCho$b Eun-Chel$4edt$01328657 702 $aLee$b Hae-Seok$4edt 702 $aCho$b Eun-Chel$4oth 702 $aLee$b Hae-Seok$4oth 906 $aBOOK 912 $a9910557142603321 996 $aHigh-Efficiency Crystalline Silicon Solar Cells$93038787 997 $aUNINA