00959nam a2200229 i 450099100083261970753620020507102042.0930515s1989 ||| ||| | ita b1013590x-39ule_instLE00637591ExLDip.to FisicaitaTerzi, R.461228Barriere Schottky Ti-GaAs preparate mediante "Ion-beam sputtering" /laureando Roberto Terzi ; relatore Lorenzo VasanelliLecce :Università degli studi, Lecce. Facoltà di Scienze. Corso di laurea in Fisica,a.a. 1989-90149 p.Vasanelli, Lorenzo.b1013590x02-04-1427-06-02991000832619707536LE006 T4821LE006-T482le006-E0.00-no 00000.i1016040127-06-02Barriere Schottky Ti-GaAs preparate mediante "Ion-beam sputtering"185296UNISALENTOle00601-01-93ma -engxx 01