02213nam 2200505z- 450 991034705560332120231214141237.01000037898(CKB)4920000000101960(oapen)https://directory.doabooks.org/handle/20.500.12854/61216(EXLCZ)99492000000010196020202102d2013 |y 0gerurmn|---annantxtrdacontentcrdamediacrrdacarrierTransistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-FrequenzbereichKIT Scientific Publishing20131 electronic resource (XIII, 217 p. p.)Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik3-7315-0161-9 The aim of this work is the design of monolithic integrated power amplifiers for frequencies from 200 to 250 GHz and beyond. For this, reliable and flexible transmission line and transistor models are required. The models are created and their accuracy is verified up to 325 GHz. An innovative coupler concept is developed. It is tailor-made for the applied MMIC-technology and the frequency range. Based on this coupler, a novel amplifier topology has been established and applied.power amplifierIII-V semiconductorHEMTmillimetre-wavekoplanarer Wellenleitermonolithic integratedmHEMTVerbindungshalbleiterMikrostreifenleitungcoplanar waveguideFETmillimeterwaveTerahertzmicrostrip transmission line3-5MMICLeistungsverstärkerMillimeterwelleDiebold Sebastianauth1312688BOOK9910347055603321Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich3030915UNINA