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1. |
Record Nr. |
UNINA9910158677403321 |
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Titolo |
基礎電子工学 / / 藤本晶著 |
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Pubbl/distr/stampa |
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東京, : 森北出版, 2012.6 |
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東京 : , : 森北出版, , 2012 |
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ISBN |
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Edizione |
[1st ed.] |
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Descrizione fisica |
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Classificazione |
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Altri autori (Persone) |
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Soggetti |
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Lingua di pubblicazione |
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Note generali |
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Nota di contenuto |
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紙 -- まえがき -- 目次 -- 序章 子工学とは -- 第1章 磁界中の 子 -- 1.1 子とその性 -- 1.2 磁界中の 子の 動 -- 1.2.1 界中の 子の 動 -- 1.2.2 磁界中の 子の 動 -- 1.3 光 効果 -- 1.4 物 波 -- 1.5 真空中の 子の応用 -- 1.5.1 偏向ブラウン管 -- 1.5.2 サイクロトロン加 器 -- 演習問 -- 第2章 原子中の 子 -- 2.1 水素原子の発光スペクトル -- 2.2 ボーアのモデル -- 2.3 水素原子スペクトルとの対比 -- 2.4 子数とパウリの排他原理 -- 2.4.1 子数 -- 2.4.2 パウリの排他原理 -- 2.5 原子中の 子 置 -- 2.5.1 子数と 子 置 -- 2.5.2 原子中の 子 置 -- 演習問 -- 第3章 固体中の 子 -- 3.1 シュレディンガーの波動方程式 -- 3.2 ゾンマーフェルトのモデル -- 演習問 -- 第4章 固体のエネルギー帯 -- 4.1 エネルギー帯の形成 -- 4.2 半導体のエネルギー帯 -- 4.3 絶縁体および 属のエネルギー帯 -- 4.4 子と正孔 -- 4.5 ドナー不純物とアクセプタ不純物 -- 4.5.1 ドナー不純物とn型半導体 -- 4.5.2 アクセプタ不純物とp型半導体 -- 4.5.3 多数キャリアと少数キャリア -- 演習問 -- 第5章 キャリア密度と 気伝導率 -- 5.1 半導体中のキャリア密度 -- 5.2 状態密度 数 -- 5.3 フェルミ-ディラックの分布 数 -- 5.4 子密度 -- 5.5 正孔密度 -- 5.6 熱平 時のpn積 -- 5.7 真性半導体のフェルミ準位 -- 5.8 ホール効果 -- 演習問 -- 第6章 有効 と移動度 -- 6.1 有効 -- 6.2 キャリアの移動度 -- 演習問 -- 第7章 拡散 流と 続の方程式 -- 7.1 拡散 流 -- 7.2 ドリフト 流 -- 7.3 キャリアの発生と再結合 -- 7.4 少数キャリアの 続の方程式 -- 演習問 -- 第8章 p-n接合 -- 8.1 拡散 位と空乏層 -- 8.2 p-n接合ダイオード -- 8.2.1 p-n接合ダイオードの整流作用 -- 8.2.2 p-n接合ダイオードの 流- 圧特性 -- 8.2.3 p-n接合ダイオードの空乏層 -- 8.2.4 p-n接合ダイオードの 容 -- 8.2.5 p-n接合の 伏現 -- 演習問 -- 第9章 バイポーラトランジスタ -- 9.1 トランジスタの構 と原理 -- 9.2 トランジスタの動作特性 -- 演習問 -- 第10章 属-半導体接合 -- 10.1 ショットキー接合 -- 10.2 ショットキーダイオード -- 10.3 オーミック接合と 極 -- 演習問 -- 第11章 属-絶縁体-半導体構 -- 11.1 理想MIS構 -- 11.2 反 状態の 析 -- 11.3 |
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MIS構 に えられる -- 演習問 -- 第12章 MOSFET -- 12.1 MOSFETの構 -- 12.2 MOSFETの動作 -- 12.3 MOSFETの特性 析 -- 12.4 MOSFETの種 と 号 -- 12.5 MOSキャパシタの特性 -- 演習問 -- 第13章 積回 -- 13.1 モノリシック 積回 の概 -- 13.2 バイポーラ 積回 -- 13.3 MOS 積回 -- 13.4 C-MOS 積回 -- 13.5 積回 の 法 -- 演習問 -- 第14章 光半導体素子 -- 14.1 エネルギーギャップと光 -- 14.2 発光ダイオード -- 14.3 半導体レーザ -- 14.3.1 光の吸収と 導放出 -- 14.3.2 ダブルヘテロ構 -- 14.3.3 半導体レーザの特性 -- 14.4 フォトダイオードと太 池 -- 14.4.1 光導 効果と光導 セル -- 14.4.2 光 力効果と太 池 -- 14.4.3 フォトダイオード -- 演習問 -- 第15章 その他のデバイス -- 15.1 ディスプレイデバイス -- 15.1.1 液晶ディスプレイデバイス -- 15.1.2 その他のディスプレイデバイス -- 15.2 センサデバイス -- 15.2.1 圧力センサ. |
15.2.2 半導体ガスセンサ -- 演習問 -- 演習問 答 -- 参 文献 -- 索引 -- 奥付. |
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2. |
Record Nr. |
UNISANNIOCFI0173208 |
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Autore |
Saraceno, Pasquale |
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Titolo |
Sottosviluppo industriale e questione meridionale : studi degli anni 1952-1963 / Pasquale Saraceno |
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Pubbl/distr/stampa |
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Bologna, : il Mulino, c1990 |
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Titolo uniforme |
Sottosviluppo industriale e questione meridionale |
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ISBN |
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Descrizione fisica |
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Collana |
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Classificazione |
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IT/3430.1 |
Se.i.13.10 |
Se.i.13.7 |
Se.i.15.2 |
X31.0 |
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Disciplina |
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330.9457 |
330.94570925 |
338.9457 |
945.7 |
945.70925 |
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Soggetti |
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Paesi in via di sviluppo - 1950-1965 |
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Collocazione |
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POZZO LIB.ECON MON 636901POZZO LIB.ECON MON 6369 |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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