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1. |
Record Nr. |
UNINA9910705626303321 |
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Autore |
Freeman Jon C. |
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Titolo |
Basic equations for the modeling of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMTs) / / Jon C. Freeman |
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Pubbl/distr/stampa |
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Cleveland, Ohio : , : National Aeronautics and Space Administration, Glenn Research Center, , February 2003 |
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Descrizione fisica |
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1 online resource (65 pages) : illustrations |
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Collana |
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Soggetti |
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Gallium nitrides |
Field effect transistors |
High electron mobility transistors |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Note generali |
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"February 2003." |
"Performing organization: National Aeronautics and Space Administration, John H. Glenn Research Center at Lewis Field" Report documentation page. |
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Nota di bibliografia |
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Includes bibliographical references (pages 62-65). |
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2. |
Record Nr. |
UNISA990001792290203316 |
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Autore |
MENANDER |
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Titolo |
Samia : Griechisch/Deutsch / ubersetzt und hrsg. von Helmut Offermann |
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Pubbl/distr/stampa |
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Stuttgart, : Reclam, 1980 |
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Descrizione fisica |
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Collana |
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Disciplina |
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Collocazione |
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V.1.A. 115(II t A Coll. 38/2) |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Note generali |
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