1.

Record Nr.

UNINA9910809279803321

Autore

Zhytnytska Rimma

Titolo

Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen  / / Rimma Zhytnytska

Pubbl/distr/stampa

Göttingen : , : Cuvillier Verlag, , [2021]

©2021

ISBN

3-7369-6413-7

Edizione

[1st ed.]

Descrizione fisica

1 online resource (183 pages)

Collana

Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik ; ; 65

Disciplina

548.5

Soggetti

Epitaxy

Lingua di pubblicazione

Tedesco

Formato

Materiale a stampa

Livello bibliografico

Monografia

Nota di contenuto

Intro -- 1 Kapitel: Einführung -- 1.1 Motivation -- 1.2 Ziel und Aufbau der Arbeit -- 2 Kapitel: Grundlagen der AlGaN/GaN-HEMTs -- 2.1 Materialeigenschaften von GaN und AlGaN/GaN Heterostruktur -- 2.2 AlGaN/GaN HEMT: Aufbau, Funktion und typische Kennlinien -- 3 Kapitel: Designkonzept für LE-Transistoren -- 3.1 Grundlagen des Designs -- 3.2 Anforderungen an GaN-Transistoren für die Leistungselektronikanwendungen -- 3.3 Designkonzept der GaN-Transistoren für Leistungselektronikanwendungen -- 4 Kapitel: Prozessdetails und Messmethoden -- 4.1 Herstellung der Transistoren und Teststrukturen -- 4.2 Elektrische Charakterisierung -- 5 Kapitel: Design für hohe Spannung -- 5.1 AlGaN/GaN HEMT im gesperrten Zustand -- 5.2 Designoptimierung für hohe Durchbruchfestigkeit -- 5.3 Zusammenfassung des Kapitels 5 -- 6 Kapitel: Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit -- 6.1 Thermische Effekte im AlGaN/GaN HEMT -- 6.2 Elektrisch-thermische Charakterisierung des Al- GaN/GaN HEMTs -- 6.3 Designstudie (ANSYS) -- 6.4 Zusammenfassung des Kapitels 6 -- 7 Kapitel: LE-Transistoren - Design und Charakterisierung -- 7.1 Optimiertes Transistordesign -- 7.2 Charakterisierung der LE-Transistoren -- 7.3 Zusammenfassung des Kapitels 7 -- 8 Kapitel: Zusammenfassung und Ausblick -- 8.1 Zusammenfassung und Fazit -- 8.2 Ausblick -- Quellenverweis --



Abbildungsverzeichnis -- Tabellenverzeichnis.