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1. |
Record Nr. |
UNINA9910809279803321 |
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Autore |
Zhytnytska Rimma |
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Titolo |
Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen / / Rimma Zhytnytska |
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Pubbl/distr/stampa |
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Göttingen : , : Cuvillier Verlag, , [2021] |
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©2021 |
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ISBN |
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Edizione |
[1st ed.] |
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Descrizione fisica |
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1 online resource (183 pages) |
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Collana |
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Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik ; ; 65 |
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Disciplina |
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Soggetti |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Nota di contenuto |
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Intro -- 1 Kapitel: Einführung -- 1.1 Motivation -- 1.2 Ziel und Aufbau der Arbeit -- 2 Kapitel: Grundlagen der AlGaN/GaN-HEMTs -- 2.1 Materialeigenschaften von GaN und AlGaN/GaN Heterostruktur -- 2.2 AlGaN/GaN HEMT: Aufbau, Funktion und typische Kennlinien -- 3 Kapitel: Designkonzept für LE-Transistoren -- 3.1 Grundlagen des Designs -- 3.2 Anforderungen an GaN-Transistoren für die Leistungselektronikanwendungen -- 3.3 Designkonzept der GaN-Transistoren für Leistungselektronikanwendungen -- 4 Kapitel: Prozessdetails und Messmethoden -- 4.1 Herstellung der Transistoren und Teststrukturen -- 4.2 Elektrische Charakterisierung -- 5 Kapitel: Design für hohe Spannung -- 5.1 AlGaN/GaN HEMT im gesperrten Zustand -- 5.2 Designoptimierung für hohe Durchbruchfestigkeit -- 5.3 Zusammenfassung des Kapitels 5 -- 6 Kapitel: Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit -- 6.1 Thermische Effekte im AlGaN/GaN HEMT -- 6.2 Elektrisch-thermische Charakterisierung des Al- GaN/GaN HEMTs -- 6.3 Designstudie (ANSYS) -- 6.4 Zusammenfassung des Kapitels 6 -- 7 Kapitel: LE-Transistoren - Design und Charakterisierung -- 7.1 Optimiertes Transistordesign -- 7.2 Charakterisierung der LE-Transistoren -- 7.3 Zusammenfassung des Kapitels 7 -- 8 Kapitel: Zusammenfassung und Ausblick -- 8.1 Zusammenfassung und Fazit -- 8.2 Ausblick -- Quellenverweis -- |
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