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1. |
Record Nr. |
UNINA9910794942703321 |
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Autore |
Nosaeva Ksenia |
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Titolo |
Indium phosphide HBT in thermally optimized periphery for applications up to 300 GHz / / vorgelegt von M. Eng. and Tech. Ksenia Nosaeva |
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Pubbl/distr/stampa |
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Gottingen, [Germany] : , : Cuvillier Verlag, , 2016 |
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©2016 |
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ISBN |
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Edizione |
[1. Auflage.] |
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Descrizione fisica |
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1 online resource (155 pages) : illustrations (some color), tables, graphs |
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Collana |
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Innovationen mit Mikrowellen und Licht. Forschungsberichte aus dem Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fur Hochstfrequenztechnik ; ; Band 36 |
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Disciplina |
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Soggetti |
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Modulation-doped field-effect transistors |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Nota di bibliografia |
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Includes bibliographical references. |
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