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1. |
Record Nr. |
UNINA990003779750403321 |
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Autore |
Lawson, E. Thomas |
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Titolo |
Rethinking religion : connecting cognition and culture / E. Thomas Lawson, Robert N. McCauley |
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Pubbl/distr/stampa |
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Cambridge : Cambridge University Press, 1990 |
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ISBN |
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Edizione |
[1.ed.] |
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Descrizione fisica |
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Altri autori (Persone) |
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McCauley, Robert Neil <1953- > |
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Disciplina |
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Locazione |
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Collocazione |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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2. |
Record Nr. |
UNINA9910698031903321 |
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Autore |
Powell John D |
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Titolo |
Two-dimensional current diffusion in the rails of a railgun [[electronic resource] /] / John D. Powell and Alexander E. Zielinski |
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Pubbl/distr/stampa |
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Aberdeen Proving Ground, MD : , : Army Research Laboratory, , [2008] |
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Descrizione fisica |
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vi, 20 pages : digital, PDF file |
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Collana |
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Altri autori (Persone) |
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Soggetti |
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Electric propulsion |
Electromagnetic compatibility |
Projectiles |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Note generali |
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Title from title screen (viewed Feb. 20, 2009). |
"October 2008." |
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Nota di bibliografia |
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Includes bibliographical references (page 15). |
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3. |
Record Nr. |
UNINA9910346908503321 |
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Autore |
Kühn Jutta |
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Titolo |
AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications |
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Pubbl/distr/stampa |
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KIT Scientific Publishing, 2011 |
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ISBN |
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Descrizione fisica |
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1 online resource (XI, 230 p. p.) |
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Collana |
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Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik. |
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Soggetti |
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Technology: general issues |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Sommario/riassunto |
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This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs. |
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