1.

Record Nr.

UNINA990003779750403321

Autore

Lawson, E. Thomas

Titolo

Rethinking religion : connecting cognition and culture / E. Thomas Lawson, Robert N. McCauley

Pubbl/distr/stampa

Cambridge : Cambridge University Press, 1990

ISBN

0-521-37370-0

Edizione

[1.ed.]

Descrizione fisica

xi, 194 p. ; 23 cm

Altri autori (Persone)

McCauley, Robert Neil <1953- >

Disciplina

200.72

291.38

Locazione

BFS

Collocazione

200.72 LAW 1

Lingua di pubblicazione

Inglese

Formato

Materiale a stampa

Livello bibliografico

Monografia



2.

Record Nr.

UNINA9910698031903321

Autore

Powell John D

Titolo

Two-dimensional current diffusion in the rails of a railgun [[electronic resource] /] / John D. Powell and Alexander E. Zielinski

Pubbl/distr/stampa

Aberdeen Proving Ground, MD : , : Army Research Laboratory, , [2008]

Descrizione fisica

vi, 20 pages : digital, PDF file

Collana

ARL-TR ; ; 4618

Altri autori (Persone)

ZielinskiAlexander E

Soggetti

Electric propulsion

Electromagnetic compatibility

Projectiles

Lingua di pubblicazione

Inglese

Formato

Materiale a stampa

Livello bibliografico

Monografia

Note generali

Title from title screen (viewed Feb. 20, 2009).

"October 2008."

Nota di bibliografia

Includes bibliographical references (page 15).



3.

Record Nr.

UNINA9910346908503321

Autore

Kühn Jutta

Titolo

AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

Pubbl/distr/stampa

KIT Scientific Publishing, 2011

ISBN

1000021579

Descrizione fisica

1 online resource (XI, 230 p. p.)

Collana

Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik.

Soggetti

Technology: general issues

Lingua di pubblicazione

Inglese

Formato

Materiale a stampa

Livello bibliografico

Monografia

Sommario/riassunto

This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.