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1. |
Record Nr. |
UNINA9910160702103321 |
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Titolo |
半導体工学 |
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Pubbl/distr/stampa |
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東京, : 森北出版, 2013.10 |
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東京 : , : 森北出版, , 2013 |
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ISBN |
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Edizione |
[第3版] |
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Descrizione fisica |
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Classificazione |
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Lingua di pubblicazione |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Nota di contenuto |
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紙 -- 第3版序文 -- 第2版序文 -- 初版序文 -- 目次 -- 1章 子 入 -- 1.1 粒子と波動 -- 1.2 波束および群 度 -- 1.3 ド・ブロイの 係式 -- 1.4 シュレーディンガーの波動方程式 -- 1.5 束縛粒子 -- 1.6 フェルミエネルギー -- 1.7 状態密度 数 -- 1.8 トンネル効果 -- 演習問 -- 2章 固体の帯理 -- 2.1 帯理 の定性的な 明 -- 2.2 導体・半導体・絶縁体のエネルギー帯構 -- 2.3 波動方程式による帯理 の導出 -- 演習問 -- 3章 統 力学の基礎 -- 3.1 エネルギー分布則の種 -- 3.2 フェルミ-ディラックの分布 数 -- 演習問 -- 4章 半導体と 導機構 -- 4.1 半導体の歴史的経緯 -- 4.2 半導体の 気伝導現 -- 4.3 真性半導体中のキャリア濃度 -- 4.4 外因性半導体中のキャリア濃度 -- 4.5 キャリアの再結合 -- 4.6 続の方程式 -- 4.7 キャリアの移動度 -- 4.8 アインシュタインの 係式 -- 4.9 半導体材料の種 -- 4.10 p型,n型への変換 -- 演習問 -- 5章 p-n接合 -- 5.1 p-n接合のエネルギー準位図 -- 5.2 p-n接合の 圧- 流特性 -- 5.3 p-n接合の 方向 伏現 -- 5.4 p-n接合の接合容 -- 5.5 トンネル(エサキ)ダイオード -- 演習問 -- 6章 ヘテロ接合と 属-半導体接 -- 6.1 ヘテロ接合 -- 6.2 ヘテロ接合のエネルギー準位図 -- 6.3 ヘテロ接合の 流 機構 -- 6.4 ヘテロ接合の 子素子への応用 -- 6.5 属-半導体接 -- 6.6 属-半導体接 のエネルギー準位図 -- 6.7 ベーテのダイオード理 -- 演習問 -- 7章 トランジスタと 積回 -- 7.1 トランジスタの分 -- 7.2 接合型トランジスタ -- 7.3 界効果トランジスタ(FET) -- 7.4 スイッチング用トランジスタ -- 7.5 結合素子(CCD) -- 7.6 積回 -- 演習問 -- 8章 半導体の光学的性 -- 8.1 光と物 との相互作用 -- 8.2 半導体からの発光 -- 8.3 光 効果 -- 演習問 -- 9章 発光デバイスと受光デバイス -- 9.1 発光ダイオード -- 9.2 半導体レーザダイオード -- 9.3 太 池 -- 9.4 フォトダイオード,フォトトランジスタ -- 9.5 オプトエレクトロニクス -- 演 |
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習問 -- 10章 半導体の各種性 -- 10.1 熱 的性 -- 10.2 磁 効果 -- 10.3 ひずみ抵抗効果 -- 演習問 -- 11章 子効果デバイス -- 11.1 格子 -- 11.2 人工格子 -- 11.3 子井戸 -- 11.4 子 から 子細線, 子箱,さらには 子点へ -- 11.5 エニオン(Anyon) -- 11.6 子の粒子性から波動性へ -- 11.7 子効果デバイスの特徴 -- 11.8 インコヒーレント 子波からコヒーレント 子波へ -- 11.9 AB効果 -- 11.10 キャリアからプロパゲータへ -- 12章 21世紀のエレクトロニクス -- 12.1 20世紀の科学技 -- 12.2 子情報科学の3本柱 -- 12.3 子コンピュータ -- 12.4 子暗号 -- 12.5 子情報 信 -- 12.6 子物理学は本当に無敗か? -- エピローグ -- 付 -- 1 各種半導体の物性定数 -- 2 物理定数 -- 3 単位(SI)の接 -- 演習問 答 -- さくいん -- 奥付. |
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Sommario/riassunto |
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オプトエレクトロニクスデバイスの進展、半導体の発光機構、ポスト半導体工学の展望-内容を追加・拡充。これからの半導体工学を学ぶのに最適な一冊。. |
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