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1. |
Record Nr. |
UNINA990000775060403321 |
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Titolo |
Barriere architettoniche : strumenti per il loro superamento / a cura di Sebastiano Amato e Clara Zito, Gabriele Stoduti |
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Pubbl/distr/stampa |
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Firenze : Maggioli, c1990 |
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ISBN |
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Descrizione fisica |
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2 v. (286, 200 p.) : dis., tab. ; 27 cm |
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Collana |
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Ambiente, territorio, edilizia, urbanistica ; 30 |
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Disciplina |
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Locazione |
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Collocazione |
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ARCH B 1082(2) |
ARCH B 1082(1) |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Nota di contenuto |
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1.: Schede essenziali 2.: Normativa |
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2. |
Record Nr. |
UNINA9910450680703321 |
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Autore |
Galup-Montoro Carlos |
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Titolo |
MOSFET modeling for circuit analysis and design [[electronic resource] /] / Carlos Galup-Montoro, Márcio Cherem Schneider |
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Pubbl/distr/stampa |
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Singapore ; ; Hackensack, NJ, : World Scientific, c2007 |
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ISBN |
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1-281-12087-1 |
9786611120870 |
981-270-759-X |
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Descrizione fisica |
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1 online resource (445 p.) |
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Collana |
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International series on advances in solid state electronics and technology |
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Altri autori (Persone) |
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Disciplina |
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Soggetti |
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Metal oxide semiconductor field-effect transistors - Mathematical models |
Field-effect transistors - Mathematical models |
Electronic books. |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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Note generali |
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Description based upon print version of record. |
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Nota di bibliografia |
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Includes bibliographical references and index. |
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Nota di contenuto |
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Foreword; Preface; Contents; List of Selected Symbols; Chapter 1 Introduction; Chapter 2 The MOS Capacitor; Chapter 3 The Long-Channel MOSFET: Theory and dc Equations; Chapter 4 The Real MOS Transistor: dc Models; Chapter 5 Stored Charges and Capacitive Coefficients; Chapter 6 Mismatch Modeling; Chapter 7 Noise in MOSFETs; Chapter 8 High-Frequency Models; Chapter 9 Gate and Bulk Currents; Chapter 10 Advanced MOSFET Structures; Chapter 11 MOSFET Parameter Extraction; Chapter 12 Advanced MOSFET Models for Circuit Simulators; Appendix A Electrostatics in One Dimension |
Appendix B Electrostatics in SemiconductorsAppendix C Drift-diffusion Current Model; Appendix D Continuity Equations; Appendix E Basics of pn Junctions; Appendix F Hall-Shockley-Read (HSR) Statistics; Appendix G Interface Trap Capacitance; Index |
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Sommario/riassunto |
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This is the first book dedicated to the next generation of MOSFET models. Addressed to circuit designers with an in-depth treatment that appeals to device specialists, the book presents a fresh view of compact modeling, having completely abandoned the regional modeling approach. Both an overview of the basic physics theory |
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required to build compact MOSFET models and a unified treatment of inversion-charge and surface-potential models are provided. The needs of digital, analog and RF designers as regards the availability of simple equations for circuit designs are taken into account. Compact ex |
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3. |
Record Nr. |
UNISA990000912380203316 |
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Autore |
PERLINGIERI, Pietro |
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Titolo |
Commento alla Costituzione italiana / Pietro Perlingieri ; con la collaborazione di S. Balletti ... [et al.] |
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Pubbl/distr/stampa |
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Napoli [etc.], : Edizioni scientifiche italiane, [1997] |
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ISBN |
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Descrizione fisica |
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Disciplina |
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Soggetti |
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Italia Costituzioni politiche 1948 |
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Collocazione |
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XXIV.2.B 62b (IG IV 1180) |
IG IV 1180 (non disponibile) |
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Lingua di pubblicazione |
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Formato |
Materiale a stampa |
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Livello bibliografico |
Monografia |
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